Как известно, сопротивление полупроводников существенно зависит от температуры, а следовательно изменение температуры существенно влияет на характеристики транзистора. Изменяются положение рабочей точки "О" по постоянному току, параметры транзистора, а следовательно и все остальные характеристики и параметры усилителя. Влияние температуры на входные и выходные характеристики транзистора показано на Рис. 6.1.
Рис. 6.1 – влияние температуры на характеристики транзистора.
Выделяют следующие основные причины температурной нестабильности:
¾ Изменение обратного (теплового) тока коллектора от температуры 
¾ Смещение входных характеристик при изменении температуры;
¾ Изменение коэффициента усиления по току транзистора 
и 
.
Рассмотрим подробнее каждую из них:
Для германиевых транзисторов обратный ток с ростом температуры удваивается на каждые 10°, а для кремниевых – на каждые 7°:
(Ge);
(Si).
Однако, начальные значения тока для кремниевых транзисторов на 1–2 порядка меньше, чем для германиевых, по этому несмотря на большую крутизну их характеристик значение обратных токов меньше и их применение предпочтительнее (см. Рис. 6.2):
Рис. 6.2 – зависимость IК(t°).
