Транзистора в схеме с общим истоком

3.1. На лицевой панели ВП нажмите мышью на закладку с надпи­сью «Выходные характеристики». На экране появится изображение ВП, приведенное на рис.9.4.

Рис. 9.4.

3.2. Нажмите на лицевой панели ВП кнопку «Измерение». ВП произведет измерение зависимостей тока стока I_с.от напряжения сток-исток U_си. Измерения выполняются при фиксированных значениях напря­жения источника питания в цепи затвора Е₃, которые представлены на ли­цевой панели ВП слева от схемы измерений в виде таблицы. В процессе измерений напряжение источника питания в цепи стока Е_C плавно изменя­ется от 0 до 10 В. На экране графического индикатора отображаются гра­фики полученных зависимостей, а также соответствующие им значения напряжения затвор-исток U_ЗИ.

3.3. При необходимости с помощью кнопок изменения значений цифровых элементов управления можно задать другие величины напряже­ния Е₃. После нажатия на кнопку «Измерение» выходные характеристики бут построены заново. Скопируйте изображение полученных ВАХ в отчет. Около каждого графика укажите соответствующее значение напряжения затвор-исток U_ЗИ .

3.4. Для каждой полученной выходной характеристики определите значение тока стока Iс, соответствующее напряжению U_cи ⁼ 5 В. Для этого с помощью расположенного на лицевой панели ВП ползункового регуля­тора «X» установите вертикальную визирную линию напротив деления «5 В» горизонтальной оси графика. Затем с помощью горизонтальной ви­зирной линии, перемещаемой ползунковым регулятором «Y», получите значения тока стока в точках пересечения выходных характеристик с вер­тикальным визиром. Полученные результаты запишите в отчет.

3.5. Используя величины тока стока, полученные в п.3.4, вычис­лите соответствующие им значения крутизны S полевого транзистора с помощью формулы

Сравните полученные результаты с величиной крутизны, определенной в п.1.5 по передаточной характеристике полево­го транзистора. Выводы и результаты запишите в отчет.

3.6. Выключите ВП, для чего нажмите на лицевой панели ВП кноп­ку «Завершение работы».

Контрольные вопросы.

1. Какие транзисторы называются полевыми или униполярными? Объ­ясните происхождение таких названий.

2. Как устроены полевые транзисторы с изолированным затвором и управляющим p-n-переходом? Опишите принцип их работы?

3. В чем отличие встроенного канала от индуцированного?

4. Как выглядят передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов известных вам типов?

5. Какие характерные области можно выделить на выходных ВАХ по­левого транзистора?

6. Назовите области применения полевых транзисторов.