Транзисторный каскад с общим эмиттером.

Биполярные транзисторы чаще всего используются в усилительных каскадах. На рис. 27 изображен транзисторный каскад с общим эмиттером.

Режим работы биполярного транзистора в таком каскаде определяется си­лой базового тока. Для того чтобы базовый ток был стабилен, база соеди­няется с источником напряжения Е_к.через высокоомное сопротивление R_б..

Рис. 27. Транзисторный каскад с общим эмиттером.

Для определения режима работы транзисторного каскада удобно по­строить линию нагрузки на выходной характеристике транзистора. Данный способ позволяет описать поведение транзистора во всех основных режи­мах работы, а именно: насыщения, усиления и отсечки.

Режим насыщения имеет место в случае, когда ток коллектора не управляется током базы. Эта ситуация возникает при условии

β_DC ^.I_Б >I_к.н.,

где I_к.н. – ток насыщения коллектора. Значение этого тока определяется со­противлением R_к.в цепи коллектора и напряжением источника питания Е_K:

.

Режим насыщения характеризуется низким падением напряжения коллектор-эмиттер (порядка 0,1 В). Для перевода транзистора в этот режим необходимо, чтобы через базу транзистора протекал ток, больший, чем ток насыщения базы I_б.нас.:

,

Для того чтобы базовый ток стал равным току насыщения, сопро­тивление резистора R_б.следует выбрать равным:

,

В режиме усиления ток коллектора меньше тока насыщения 1_к.н.и для его вычисления можно воспользоваться уравнением линии нагрузки цепи коллектора:

,