Полупроводниковый тиристор.

Тиристор – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (и более) p-n- перехода. Тиристор может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. Различают диодные (неуправляемые) и триодные (управляемые) тиристоры. Диодный тиристор называют динистором. Для коммутации цепей переменного тока разработаны симметричные тиристоры – симисторы.

Динистор - это двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий три p-n-перехода. Крайняя область p называется анодом, а другая крайняя область n - катодом. Структура и условно-графическое изображение динистора приведена на рис. 9.

Рис. 9. Структура динистора и его условное графическое изображение.

Схему замещения динистора можно представить в виде двух транзисторных структур, соединенных между собой (рис. 10). При таком соединении коллекторный ток первого транзистора явля­ется током базы второго, а коллекторный ток второго транзистора является током базы первого. Благодаря такому соединению внутри прибора возникает положительная обратная связь.

Рис. 10.

Если на анод подано положительное напряжение по отношению к катоду, то переходы П₁ и П₃(рис.10) будут смещены в прямом направле­нии, а переход П₂- в обратном. В результате всё напряжение источника Е будет приложено к переходу П₂.

Пусть коэффициенты передачи по току эмиттера транзисторов T1 и Т2имеют значения α₁ и α₂. Тогда согласно схеме замещения ток, протекающий через тиристор равен сумме токов коллекторов обоих транзисторов и тока утечки I_К0:

.

Ток во внешней цепи равен I_Э1=I_Э2=I,поэтому после подстановки I в формулу можно записать: I(1- α₁- α₂)=I_К0. Отсюда получаем величину I:

.

Пока выполняется условие (α₁ + α₂) < 1, ток в динисторе будет равен I_К0. При соотношении (α₁ + α₂) > l динистор включается и начинает проводить ток. Это и есть условие включения динистора.

Для увеличения коэффициентов передачи тока α₁или α₂ в динисторе имеется единственный способ, состоящий в увеличении напряжения на его аноде. С ростом напряжения при U = U_вкл.один из транзисторов перейдет в режим насыщения. Коллекторный ток этого транзистора, протекая в цепи базы второго транзистора, откроет его, а последний, в свою очередь, уве­личит ток базы первого. В результате коллекторные токи транзисторов бу­дут лавинообразно нарастать, пока оба транзистора не перейдут в режим насыщения. После включения транзисторов ток I будет ограничиваться только сопротивлением внешней цепи.

Вольтамперная характеристика динистора приведена на рис.5.3, а, а схема импульсного включения - на рис.11, а. На рисунках использованы

следующие обозначения: U_вкл.- напряжение включения динистора, U_пр.-падение напряжения на открытом динисторе, I_н. - ток нагрузки, I_выкл. - ток выключения динистора, VD - полупроводниковый диод, VS - динистор, R_н. - сопротивление нагрузки, R - ограничивающее сопротивление, С-разделительный конденсатор, U_пуск. - управляющий импульс.

Остаточное падение напряжения на открытом динисторе составляет около 2 В.

Рис. 11.

Выключить динистор можно, понизив ток в нем до значения I_выкл.или поменяв полярность напряжения на аноде. Различные способы выключения динистора показаны на рис. 12.

В схеме а)при размыкании ключа К прерывается ток в цепи динистора. В схеме б)при замыкании ключа Кпадение напряжения на динисторе уменьшается до нуля. В схеме в)при размыкании ключа К последовательно с сопротивлением нагрузки R_н.включается добавочный резистор R_д.., в результате чего ток динистора понижается до значения I_выкл.. В схеме г)при замыкании ключа Кна анод динистора с конденсатора С подается напряжение обратной полярности.

Рис. 12. Схемы выключения динистора: размыканием цепи (а), шунтированием прибора (б), снижением тока анода (в), подачей обратного напряжения (г).

Тиристор имеет структуру, аналогичную динистору, при этом одна из базовых областей является управляющей. Если в одну из баз подать ток управления, то коэффициент передачи соответствующего транзистора уве­личится и произойдет включение тиристора.

В зависимости от расположения управляющего электрода (УЭ) ти­ристоры делятся на тиристоры с катодным управлением и тиристоры с анодным управлением. Расположение этих управляющих электродов и ус­ловные обозначения тиристоров приведены на рис. 13.

Рис. 13. Структура и условное графическое обозначение тиристора с катодным (а) и анодным (б) управлением.

Существуют также запираемые тиристоры, особенность которых за­ключается в том, что при подаче сигнала на управляющий электрод тири­стор переходит в закрытое состояние. Применение таких тиристоров огра­ничено из-за того, что ток управляющего электрода в момент выключения приближается по величине к основному коммутируемому току.

Схема включения и вольтамперная характеристика тиристора приве­дена на рис. 14. Напряжение включения тиристора регулируется изменени­ем тока в цепи управляющего электрода: при увеличении тока управления напряжение включения снижается. После включения управляющий

элек­трод теряет управляющие свойства. Основные способы выключения тири­стора такие же, как и для динистора.

Рис. 14. Схема включения (а) и волътамперные характеристики (б) тиристора.

К основным параметрам динисторов и тиристоров относятся:

– допустимое обратное напряжение U_обр.;

– падение напряжения в открытом состоянии U_пр.при заданном пря­мом токе;

– допустимый прямой ток I_пр..

Основной областью применения динистров и тиристоров, является использование их в качестве электронных ключей в схемах переключения как постоянных, так и переменных электрических токов.

Симистор – это симметричный тиристор, который предназначен для коммутации в цепях переменного тока. Он может использоваться для соз­дания реверсивных выпрямителей или регуляторов переменного тока. Структура симметричного тиристора приведена на рис.5.7, а, а его услов­ное обозначение - на рис. 15, б. Полупроводниковая структура симистора содержит пять полупроводниковых слоев с различным типом проводимостей и имеет более сложную конфигурацию по сравнению с тиристором. Вольтамперная характеристика симистора показана на рис. 16.

Рис. 15. Структура симметричного тиристора (а) и его условное

графическое изображение (б).

Рис. 16. Вольтамперная характеристика симистора.

В соответствии с вольтамперной характеристикой симистор включа­ется в любом направлении при подаче на управляющий электрод УЭ по­ложительного импульса управления. Требования к импульсу управления такие же, как и для тиристора. Основные характеристики симистора и сис­тема его обозначений такие же, как и для тиристора. Симистор можно за­менить двумя встречно-параллельно включенными тиристорами с общим электродом управления.