русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

ЭП с внутренней обратной связью


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 618; Нарушение авторских прав


Рис.4.6. Эмиттерный повторитель с внутренней обратной связью
Рис. 23.

 

Резистор показывает дифференциальное сопротивление коллекторного перехода первого транзистора.

Напряжение на коллекторе Т1 меняют так, чтобы к было приложено минимальное (в идеальном случае нулевое) напряжение. Ток через не будет уменьшаться, что равносильно увеличению . Для реализации этой идеи в цепь первого транзистора включают резистор Rк1 и на коллектор транзистора подают переменную составляющую выходного напряжения. Конденсатор большой емкости служит, таким образом, для компенсации напряжения на первого транзистора.

Количественно получается

,

а т.к. Ku составного ЭП близок к единице, то налицо существенное увеличение за счет .

При достаточно больших такая схема обеспечивает до 100 МОм.

Схеме присущи некоторые недостатки. В частности, она имеет частотные свойства хуже, чем ЭП на составном транзисторе. Это объясняется запаздыванием обратной связи на высоких частотах.

Второй недостаток – трудность обеспечения рабочей точки первого транзистора. Т.к. очень большое, то ясно, что Rб1 должно быть еще больше. Но здесь возникает противоречие. Во-первых увеличение Rб ухудшает

стабильность схемы (а составной повторитель очень чувствителен к температуре), а во-вторых, большое Rб не обеспечит достаточный ток базы первого транзистора.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ЭП на составном транзисторе | ЭП с динамической нагрузкой


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.005 сек.