
Рис.4.6. Эмиттерный повторитель с внутренней обратной связью
| |
Рис. 23.
Резистор
показывает дифференциальное сопротивление коллекторного перехода первого транзистора.
Напряжение на коллекторе Т1 меняют так, чтобы к
было приложено минимальное (в идеальном случае нулевое) напряжение. Ток через
не будет уменьшаться, что равносильно увеличению
. Для реализации этой идеи в цепь первого транзистора включают резистор Rк1 и на коллектор транзистора подают переменную составляющую выходного напряжения. Конденсатор большой емкости служит, таким образом, для компенсации напряжения на
первого транзистора.
Количественно получается
,
а т.к. Ku составного ЭП близок к единице, то налицо существенное увеличение
за счет
.
При достаточно больших
такая схема обеспечивает
до 100 МОм.
Схеме присущи некоторые недостатки. В частности, она имеет частотные свойства хуже, чем ЭП на составном транзисторе. Это объясняется запаздыванием обратной связи на высоких частотах.
Второй недостаток – трудность обеспечения рабочей точки первого транзистора. Т.к.
очень большое, то ясно, что Rб1 должно быть еще больше. Но здесь возникает противоречие. Во-первых увеличение Rб ухудшает
стабильность схемы (а составной повторитель очень чувствителен к температуре), а во-вторых, большое Rб не обеспечит достаточный ток базы первого транзистора.