ЭП на составном транзисторе

Рис.4.5. Эмиттерный повторитель на составном транзисторе

Это принципиальная схема, в которой цепь обеспечения рабочей точки первого транзистора обозначена резистором RБ.

Входное сопротивление второго транзистора является нагрузкой первого. В схеме нет делителя в базовой цепи второго транзистора, но он и не нужен, т.к. рабочая точка первого транзистора задает постоянный выходной ток эмиттера первого транзистора такой величины, что второй транзистор работает в режиме усиления (режим А) автоматически.

Известно, что , а т.к. обычно , то усилителя близко к . Точное значение таково:

Мы видим, что максимальное входное сопротивление приблизительно такое же как у простого ЭП, но оно может быть получено при меньшем значении R_э||R_н. Намного ближе к единице и K_u, (не ниже 0,995).

Результирующее выходное сопротивление сложного ЭП

, а для одинаковых токов эмиттеров транзисторов . Получить это сопротивление можно путем включения между базой и «землей» второго транзистора резистора R (речь идет об одинаковом режиме транзисторов при включении резистора).

Переходные и частотные свойства сложного ЭП аналогичны свойствам составного транзистора по схеме ОК и определяются меньшими граничными частотами, т.е. при разных по мощности транзисторах все определяется более мощным, имеющим худшие частотные свойства.

Недостатком схемы следует считать сильную зависимость от температуры из-за зависимости β и от температуры, причем эта зависимость значительно сильнее выражена, чем у простого ЭП.