Рассматривая усилительный каскад, мы ввели упрощение - 
.
Рис.2.5. Эквивалентная схема каскада ОЭ с учетом 
| |
У ральных транзисторов 
зависит от режима и конечно по времени. Геометрически это выражается изменением наклона выходных характеристик транзистора при изменении напряжения на коллекторе и при смене тока базы. Особенно нельзя пренебрегать сопротивлением коллекторного перехода в режиме большого сигнала, когда меняется существенно. Эквивалентная схема усилительного каскада на n-p-n-транзисторе с учетом показана на рис.2.5. Пусть 
мал. Мы видим, что ток коллектора разветвляется на ток 
(есть связь входа и выхода – как бы полезная часть) и часть, ответвляющуюся в . Причем эта вторая часть зави
сит от . Влияние учитывают введя понятие коэффициента токораспределения коллекторной цепи 
, который показывает, какая доля тока поступает во внешнюю цепь коллектора (остальная часть ответвляется в ), то есть
. (*)
Через резисторы:
, (2.7)
так как 
.
Из (*): 
можно рассматривать 
как эквивалентный статический коэффициент передачи тока базы в цепь коллектора, то есть 
. Из выражения видно, что учет дифференциального сопротивления коллекторного перехода приводит к уменьшению коэффициента передачи тока базы транзистора.
Подставляя 
в выражения (2.1) – (2.3) или в (2.4) – (2.6) вместо коэффициента передачи 
, получим уточненные формулы 
.
