где - напряжение база-эмиттер в рабочей точке, =(0,6...0,9) В (для кремниевых транзисторов – см. входные характеристики на данный транзистор). можно также найти по входной характеристике (рисунок 3.6).
Обычно задаются током делителя, образованного резисторами R и R
где IбП - ток базы в рабочей точке
IбП= IкП /h21=14,6/60 ≈ 0,25 мА.
Затем определяются номинальные значения сопротивлений для резисторов (R + Rос), R и R
= 2/(14,6+0,25)= 0,134≈130 Ом,
=2,7/2,5@1,1 кОм,
=(20-2,7)/(2,5+0,25)=6,3 кОм.
Б.4.6.2 Далее производится расчет нестабильности тока покоя коллектора с учетом действия эмиттерной температурной стабилизации.
Оценивается результирующий уход тока покоя транзистора в заданном диапазоне температуры окружающей среды
a) определяется приращение тока коллектора, вызванного тепловым смещением проходных характеристик
=0, 275´0,0825=0,022 А =22 мА,
где - приращение напряжения точки покоя , равное
|e | =2,5´33= 82,5 мВ,
где e - температурный коэффициент напряжения (ТКН);
e 2-3мВ/град;
Т - разность между температурой коллекторного перехода Т и справочным значением этой температуры Т (обычно 25 C)
=58-25=33 C,
=25+0,3´107,2=25+32,6@ 58 0С,
где Р и R соответственно мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе в статическом режиме, и тепловое сопротивление «переход-среда»