Параметры транзистора в нашем примере определяются на основе справочных данных по значениям
Этим требованиям удовлетворяет транзистор типа КТ325Б с параметрами
а) низкочастотное значение коэффициента передачи транзистора по току с ОЭ
б) модуль коэффициента передачи этого транзистора по току с ОЭ на частоте f изм= 100 МГц
 = 8;
|
|
в) тогда предельная частота усиления по току транзистора в схеме ОЭ 
 = 8´100 =800 МГц,
|
|
 МГц
|
|
а граничная частота усиления по току транзистора в схеме ОЭ 
г) постоянная времени цепи внутренней обратной связи транзистора на ВЧ
 = Ск rб =12510-12 с; Ск=2,5 10-12 Ф,
|
|
 =125´10-12/2,5´10-12 =50 Ом;
|
|
д) динамическое сопротивление эмиттерного перехода при комнатной температуре
 =25,6/14,6 @ 1,8 Ом.
|
|
IЭП определяется в рабочей точке (см. ниже п. Б.4.4.5); при IЭП в миллиамперах 
получается с размерностью Ом;
е) динамическая емкость эмиттерного перехода
 2,5 пФ.
|
|
ж) объемное сопротивление эмиттера
з) предельно-допустимые параметры
| Uкэдоп£20 В; Uэбдоп£4 В; Iкдоп£ 60 мА; Ркдоп£ 225 мВт.
|
|
Предельно допустимые параметры транзистора с достаточным запасом превышают требуемые по расчету значения.
³ 820 МГц ; 
7,5В; 
25 мА.