1. В связи с возможным разбросом номинальных значений пассивных элементов и параметров транзисторов необходимо обеспечить запас по основным предельно допустимым параметрам в 1,2-1,5 раза.
2. Тип проводимости транзистора может быть любой для ШУ и ИУ сигналов малой скважности. Однако надо учитывать, что р-n-р транзисторы менее быстродействующие, чем n-p-n.
3. Если ИУ предназначен для усиления однополярного сигнала, то из энергетических соображений рекомендуется брать транзистор проводимости p-n-p для выходного сигнала положительной полярности, n-p-n - для отрицательной.
4. Для выходного каскада низкочастотных и среднечастотных УУ соответственно с fв £ 0,3 МГц и fв £ 3 МГц и микросекундных ИУ в случае U 
=(1...5) В и R 
=(50...150) Ом применяются кремниевые транзисторы средней частоты и средней мощности, а для U = (1...5)В и R = (1…5)кОм транзисторы средней частоты малой мощности.
5. В случае, если U =(1...5) В и R =(50...150) Ом и fв ³ (3-30) МГц, то для выходного каскада ШУ и ИУ выбираются кремниевые ВЧ транзисторы средней мощности, а для U =(1...5)В и R =(0,3…3)кОм ВЧ транзисторы малой мощности.
6. Для Uвых=(1...5)В и Rн=(50...150)Ом и fв ³ (30-100)МГц для выходного каскада ШУ и ИУ используются кремниевые СВЧ транзисторы средней мощности, а для Uвых =(1...5)В и Rн =(1…5)кОм СВЧ транзисторы малой мощности.
