Одним из больших недостатков ТТЛ является невысокое быстродействие. Для повышения быстродействия между базой и коллектором транзистора включают диод Шоттки.
Рисунок 92
Диоды Шоттки отличаются высоким быстродействием и пороговым напряжением равным 0.35В. Эти диоды называются антиненасыщающимися, так как они не дают транзистору насытиться до какой-то определенной величины. Транзистор будет проводить до тех пор, пока напряжение между коллектором и эммитором не уменьшится до 0.35 или 0.3 В. В этом случае диод Шоттки откроется, и часть тока будет протекать через него, вместо того чтобы протекать через базу-эммитер, т.е. транзистор не будет больше насыщаться.
Недостаток: наряду с повышением быстродействия схема с использованием транзисторов Шоттки теряют нагрузочную способность и помехоустойчивость.
Таблица
| параметр
| К151
| К555
(Шоттки)
| КР1533
| КР513
|
| Рср,МВт
| 10
| 2
| 1,2
| 19
|
| Tcр,нс
| 20
| 18
| 14
| 5
|
| 1,6
| 0,4
| 0,2
| 5
|
| 0,04
| 0,02
| 0,01
| 0,05
|
| 0,4
| 0,4
| 0,4
| 1
|
| n
| 10
| 20
| 40
| 10
|
Количество подключенных элементов: n=Iвых/Iвх
Все ТТЛ элементы выпускаются в виде интегральных микросхем.
FLH – 101 – 7400 (2 И-НЕ – 4 штуки).
Рисунок 93
