в диапазоне частот до 10 кГц не более ±0,01% в диапазоне частот до 100 кГц не более ±0,05% в диапазоне частот до 500 кГц не более ±0,2%
- Динамический диапазон: 6 декад
- Режим преобразования:
напряжение-частота (ПНЧ) частота-напряжение (ПЧН)
- Универсальный вход по напряжению или по току
- Выход совместим с ТТЛ / КМОП
Рис. 6.
Микросхемы 1108ПП1 (Р, К, КР) служат для преобразования напряжения в частоту / частоты в напряжение и позволяют создавать устройства для линейного преобразования аналоговых сигналов в последовательность импульсов. Частота выходных импульсов пропорциональна величине входного сигнала. При обратном преобразовании среднее значение аналогового выходного напряжения пропорционально частоте импульсов входного сигнала.
Диапазон изменения частоты на выходе микросхемы в зависимости от напряжения на входе задается внешними элементами: резистором интегратора R1 включенном последовательно с входом и конденсатором одновибратора С2 формирующем длительность выходных импульсов. Выходные импульсы имеют постоянную длительность и положительный уровень.
В режиме ПЧН на не инвертирующий вход компаратора (вывод 9 микросхемы) можно подать пороговое напряжение для непосредственного согласования компаратора с логическими уровнями входного сигнала fin. Для обеспечения нормальной работы преобразователя в режиме ПЧН длительность импульсов ti, подаваемых на вход микросхемы, должна быть установлена в заданных пределах.
Для входного диапазона:
· от 0 до 10 кГц - ti = от 0,3мкс до 15 мкс.
· от 0 до 100 кГц - ti = от 0,3мкс до 1,5 мкс.
· от 0 до 500 кГц - т1 = от0,3мкс до 0,8 мкс.
Рис. 7. Схема включения микросхемы 1108ПП1 в режиме преобразования напряжения в частоту (ПНЧ).
Основные электрические параметры при приемке и поставке.
Рис. 8. Импульсная диаграмма сигналов на выводах микросхемы при работе преобразователя в режиме напряжения-частота.
U13 - напряжение: на выходе интегратора, fout - импульсы на частотном выходе (вывод 7). U5 - напряжение: на конденсаторе С2 (вывод 5).
С помощью рассматриваемого ПНЧ можно преобразовывать отрицательные напряжения, но для этого нужно изменить подключение входного сигнала. Иными словами, прямое преобразование биполярных сигналов не предусмотрено.
Рис. 9. Схема включения микросхемы 1108ПП1 в режиме преобразования частоты в напряжение.
При расширении диапазона изменения выходной частоты все заметнее проявляется конечное время переключения аналоговых ключей, что выражается в интегральной нелинейности преобразования. Ее минимальная погрешность (0,01 %) достигается в узком диапазоне частот 0–10 кГц. В расширенном диапазоне выходных частот (0–500 кГц) погрешность нелинейности увеличивается до 0,2 %.
ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ
Рис. 1.1. Искажение аналогового (а) и цифрового (б) сигнала.
Рис. 1.2. Обозначение входов и выходов микросхемы.
Рис. 1.3. Элементы цифрового сигнала.
Рис. 1.4. Обозначение неинформационных выводов.
Рис.1.5. Обозначение шин: а – толстыми линиями; б – двойными стрелками;
в – нумерация входов и выходов.
Рис.1.6.Распределение зарядов в области p-n- перехода.
Рис.1.7. Потенциальные пороги вблизи p-n- перехода при прямом (а) и обратном (б) включении внешнего напряжения на нем.
Рис.1.8. Зависимость тока основных и неосновных носителей через p-n- переход от напряжения на нем, ВАХ p-n- перехода.
Рис. 1.9. Схема движения электронов и дырок при прямом (а) и обратном (б) включении p-n- перехода.
Рис. 1.10. Идеализированная ВАХ p-n перехода.
Рис. 1.11. Прямая ветвь ВАХ p-n перехода с учетом различных факторов.
Рис. 1.12. Прямая ветвь ВАХ p-n перехода c учетом различных температур.
Рис. 1.13. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода при тепловом пробое.
Рис. 1.14. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода при лавинном пробое.
Рис. 1.15. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода при туннельном пробое.
Рис. 1.16 Прямая ветвь ВАХ обусловленная p-n переходом и переходом Шотки.
Рис. 1.17. Структуры n-p-n и p-n-p переходов.
Рис. 1.18. Прямое включение n-p-n транзисторов.
а б в
Рис. 1.19. Возможные схемы включения транзистора:
а. сема с общей базой; б. Схема с общим эмиттером;
в. Схема с общим коллектором.
Рис. 1.20. Входные ВАХ характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Рис. 1.21. Выходные ВАХ характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Рис.1.22. Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Рис. 1.23 Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Рис. 1.24. Передаточные статические характеристики для режима насыщения полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Рис. 1.25. Структура МДП транзистора с индуцированным каналом.
Рис. 1.26. Выходные характеристики МДП транзистора с индуцированным каналом
Рис. 1.27. Придаточная характеристика МДП транзистора и индуцированным каналом.
