ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы – это полупроводниковые приборы с двумя или более p-n- переходами, позволяющими усиливать электрические сигналы и имеющие три вывода и более.

Их подразделяют на две большие группы: биполярные и униполярные.

Биполярные транзисторы имеют трехслойную структуру с чередующимися типами электропроводности.

Различают прямые (p-n-p) и обратные (n-p-n) транзисторы.

От каждого слоя имеется вывод:

Э - Эмиттер

Б – База или (Основание)

К – Коллектор

Переход между базой и эмиттером называют эмиттерным, а между базой и коллектором – коллекторным.

В зависимости от общего электрода, для входной и выходной цепей транзисторы можно включать тремя разными способами:

1. По схеме с общим эмиттером ОЭ (получают наибольшее усиление),

2. По схеме с общей базой ОБ (наибольшая стабильность в работе),

3. По схеме с общим коллектором ОК (обладает высоким входным и низким выходным сопротивлением).

Униполярные, или полевые, транзисторы имеют большое входное сопротивление (свыше 10 МОм). Их подразделяют на две большие группы:

Транзисторы с управляющим p – n- переходом с каналом n – или p – типа.

У МДП (металл – диэлектрик – полупроводник) – транзисторов управляющий электрод изолирован слоем диэлектрика.

В зависимости от конструкции различают транзисторы с встроенным p – или n – каналом.

И с индуцированным p – или n – каналом.

Электроды таких транзисторов называют истоком (от него начинают движение основные носители заряда), стоком (к нему движутся основные носители) и затвором (к нему прикладывают управляющее напряжение).

Транзисторы используются для генерации, усиления и преобразования электрических сигналов. В импульсных схемах они работают в режиме «ключа», когда транзистор может находиться только в двух состояниях: включенным (открытым), либо выключенным (закрытым). Переход из одного состояния в другое происходит очень быстро, что отвечает основным требованиям быстродействия.

В зависимости от используемого полупроводника транзисторы бывают кремниевые или германиевые; от механизма движения носителей заряда – диффузионные, или дрейфовые.

Основными параметрами биполярных транзисторовявляются:

- статистический коэффициент усиления по току α в схеме с общей базой;

- статический коэффициент усиления по току β в схемах с общим эмиттером. Параметры α и β связанны зависимостями вида β = α/(1+α) или α = β/(1+β);

- обратный ток коллектора Iко;

- граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

- напряжение отсечки Uо – приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;

- максимальный ток стока Іс.макс ;

- напряжения – между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;

- входная Свх, проходная Спр и выходная Свых ёмкости.