Рассчитаем физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора (рисунок 8). Эта схема известна также в литературе под названиями «гибридная схема замещения» и «схема
замещения Джиаколетто».
Рисунок 8 – гибридная схема замещения
Напряжение коллектор-база в рабочей точке UКБ рт рассчитаем по формуле(12):
UКБ рт=15-10·10-3·0,75·103-(10+0,15) ·10-3·0,15·103-0,8=6,7775 В.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = UКБ рт:
где 
– емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = 
.
Возьмём из справочника 
=10 пФ и 
=5В.
Выходное сопротивление транзистора (13):
Сопротивление коллекторного перехода транзистора(14):
Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера (15):
Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базы (16):
Сопротивление базы транзистора:
Диффузионная емкость эмиттерного перехода (17):
где fгр – граничная частота коэффициента передачи тока – частота (18), на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером |h21Э| = 1
тогда:
Крутизна транзистора (19):
Полученные значения сведем в таблицу 5.
Таблица 5 – Номинальные значения элементов схемы замещения
| СК
| СЭД
| rКЭ
| rк
| rЭ
| rБЭ
| rБ
|
| 17,2 пФ
| 64,7 нФ
| 2,326 кОм
| 0,21 МОм
| 2,46 Ом
| 223,8 Ом
| (100  200)Ом
|
