русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 2482; Нарушение авторских прав


 

Рассчитаем физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора (рисунок 8). Эта схема известна также в литературе под названиями «гибридная схема замещения» и «схема

замещения Джиаколетто».

Рисунок 8 – гибридная схема замещения

Напряжение коллектор-база в рабочей точке UКБ рт рассчитаем по формуле(12):

 

 

UКБ рт=15-10·10-3·0,75·103-(10+0,15) ·10-3·0,15·103-0,8=6,7775 В.

 

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = UКБ рт:

где – емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база UКБ = .

 

Возьмём из справочника =10 пФ и =5В.

 

 

 

Выходное сопротивление транзистора (13):

 

 

Сопротивление коллекторного перехода транзистора(14):

 

 

 

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера (15):

 

 

 

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базы (16):

 

 

 

 

Сопротивление базы транзистора:

 

 

Диффузионная емкость эмиттерного перехода (17):

 

 

где fгр – граничная частота коэффициента передачи тока – частота (18), на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером |h21Э| = 1

 

 

 

тогда:

 

 

Крутизна транзистора (19):

 

 

Полученные значения сведем в таблицу 5.

 

Таблица 5 – Номинальные значения элементов схемы замещения

СК СЭД rКЭ rк rЭ rБЭ rБ
17,2 пФ 64,7 нФ 2,326 кОм 0,21 МОм 2,46 Ом 223,8 Ом (100 200)Ом

 

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам | Расчёт основных параметров каскада


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.006 сек.