По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление h11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h21Э и выходную проводимость h22Э.
Входное сопротивление (формула 8) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔUБЭ симметрично относительно рабочей точки и определим соответствующее приращение тока базы ΔIБ (рисунок 5).
Рисунок 5 – приращение тока базы и напряжения база-эмиттер
Статический коэффициент передачи тока базы транзистора (формула 9) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (UКЭ = const) определим по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h21Э зададим приращение тока базы ΔIБ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 6).
Рисунок 6 – приращение тока коллектора и тока базы
Выходную проводимость (формула 10) в режиме холостого хода на входе транзистора (IБ = const) определим также как и параметр h21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h22Э зададим приращение напряжения коллектор-эмиттер ΔUКЭ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔIК (рисунок 7). Условию IБ = const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение ΔUКЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения.
Рисунок 7 – приращение тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер
Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h12Э = (1÷10)·10–4.