русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Лекция № 1 Cиловые полупроводниковые вентили и их применение в энергетической электронике.


Дата добавления: 2014-06-06; просмотров: 2482; Нарушение авторских прав


Дана функция у = у(х). Допустим, что х, в свою очередь, является функцией другой переменной х = х(t). В этом случае говорят, что уесть СЛОЖНАЯ ФУНКЦИЯ переменной t.

Такая связь записывается следующим образом:

 
 


у = у(х),

х = х(у) .

 

Может также использоваться более компактная форма записи:

 

у = у(х(t)) .

Для вычисления производной сложной функции опять воспользуемся связью (2) между производной и дифференциалом, одновременно домножив и разделив правую часть на dx:

 

у't = dy = dy · dx

dt dt dx .

Перегруппировав члены, окончательно получаем:

 

 

у't = dy · dx ≡ у'x · x't . (9)

dх dt

- правило дифференцирования сложной функции. Это правило удобно представить в более подробном виде:

 
 
d dt


( у(х(t))) = у'x · x't . (10)

 

Такая форма записи означает следующее.

При дифференцировании сложной функции надо «внешнюю» функцию продифференцировать по ее аргументу (который записывается в виде индекса). Полученный результат умножается на производную от этого аргумента, являющегося функцией своей переменной. Т.е. указанный аргумент, который только что был использован в качестве индекса, «поднимается вверх». Процедура перемножения производных повторяется до тех пор, пока не дойдем до окончательной независимой переменной. В частности, производная «трехэтажной» сложной функции есть:

 

d (z(y(x(t)))) = z'y ·y'x·x't . (11)

 

 

 

Лекция № 1 Cиловые полупроводниковые вентили и их применение в энергетической электронике.

Вопросы:

1. Общие сведения о силовых полупроводниковых вентилях

2. Основные характеристики и параметры силовых полупроводниковых вентилей.

 

Литература:

1. Засорин С.Н. и др. «Электронная преобразовательная техника» - М.: Транспорт, 1981 г.



2. Руденко В.С. «Основы преобразовательной техники».

 

1. Силовые полупроводниковые вентили или диоды предназначены для выпрямления переменного тока. Применение данных п/п приборов в схемах выпрямления переменного тока основано на свойстве односторонней проводимости.

Низкочастотные выпрямительные диоды используются для работы при частоте тока 50 Гц. К низкочастотным выпрямительным диодам относят плоскостные кремниевые, а также полукристаллические диоды.

По назначению выпрямители тока различают:

- малой мощности – выпрямленный прямой ток < 0,3 А;

- средней мощности – выпрямленный прямой ток от 0,3 до 10 А;

- большой мощности – прямой выпрямленный ток > 10 А.

Необходимо отметить, что электрические параметры п/п диодов, содержащих р-n переходы, зависят от состояния поверхности переходов. Поэтому в конструкциях п/п диодов большое внимание уделяется герметичности р-n перехода.

Диоды средней мощности часто изготавливаются плоскостными.

 

Рис.1 Рис. 2

 

В диодах средней мощности пластина кристалла с р-n переходом 1 размещается на металлическом основании 2, к которому приварен вывод 3. второй вывод 4 соединен с пластинкой кристалла проводником 5. корпус 6 выполняют в виде металлического баллона, сваренного с основанием и имеют изолирующую прокладку 7.

Достоинством кремниевых и германиевых диодов является большая допустимая плотность тока при малом падении напряжения в прямом направлении.

Для мощных кремниевых диодов используются монокристаллы кремния, получаемые при помощи вакуумной технологии, с удельным сопротивлением 0,8 – 1,2 Ом·м при диффузионной длине 0,2 – 0,3 м. Активная площадь кремниевых пластин выбирается по допустимой плотности тока 0,5 – 1 А/мм2.

Высокая допустимая плотность тока и, следовательно, относительно малые размеры п/п пластин при протекании больших прямых токов вызывают большие затраты, связанные с отводом выделяющегося тепла. Для поддержания требуемого режима применяется искусственное охлаждение.

Мощные кремниевые и германиевые вентили могут иметь воздушное или жидкостное охлаждение. При воздушном охлаждении массивный медный вывод (основание) 3 вентиля (рис.2) ввинчивается в металлический охладитель 4, имеющий развитую ребристую поверхность.

Допустимый прямой ток при принудительном воздушном охлаждении выше, чем при естественном. Мощные вентили на 100 А и выше могут пропускать расчетный ток только в условиях искусственного охлаждения при скорости охлаждающего воздуха не мене 12 м/с. При естественном воздушном охлаждении допустимый ток составляет 25 – 35 % расчетного.

Кроме воздушной система охлаждения вентилей может быть водяной (проточная вода) и масляной (вентили помещают в корпус, заполненный трансформаторным маслом).

Кроме вентилей, изготавливаемых из монокристаллов кремния и германия применяют также поликристаллические вентили. Наибольшее распространение получили селеновые вентили. Такие вентили отечественного производства имеют отличительные друг от друга конструкции – А и Г.

В вентилях серии А одним электродом служит алюминиевая пластина, имеющая шероховатую поверхность, на которую нанесен слой селена. Другой электрод представляет собой катодный сплав, нанесенный на Se разбрызгиванием.

В вентилях серии Г основанием также служит алюминиевая пластина с гладкой полированной поверхностью, а вторым электродом – алюминиевая фольга, впрессованная в селен.

Популярность вентилей серии А и Г различна, что объясняется разной внутренней структурой и технологией изготовления. У вентилей серии А алюминиевая пластина служит анодом, а направленный на селен металл – катодом.

Вентили серии Г проводят ток от впрессованной в селен фольги к алюминиевой пластине.

Кристаллический селен является полупроводником с шириной запрещенной зоны ≈ 2 эВ. Для образования р-n перехода на поверхность селена наносят слой катодного сплава, содержащего Cd, и подвергают формовке.

Допустимая плотность тока у селеновых выпрямителей не превышает 5·10-4 А/мм2, поэтому вентили имеют большую площадь.

Селеновые выпрямители комплектуются из вентилей, включаемых параллельно и последовательно. Они выпускаются на номинальные токи от нескольких мА до сотен ампер и на обратные напряжения от нескольких вольт до десятков кВ.

Выпрямители, рассчитанные на большие токи, выполняются в виде столбиков, собранных на изолированных металлических шпильках из отдельных вентилей с пластинчатыми охладителями.

На рис.3 приведены ВАХ селеновых вентилей серии А (кривая 1) и серии Г (кривая 2). Обратные ветви характеристик селеновых вентилей существенно отличаются от характеристик кремниевых и германиевых вентилей отсутствием резко выраженного участка пробоя, что объясняется поликристаллическим строением селена.

Рис. 3 Рис. 4

2. Основной характеристикой полупроводниковых диодов, в том числе и выпрямительных, является вольтамперная характеристика.

Германиевые выпрямительные диоды в зависимости от мощности делятся на маломощные, средние и большой мощности.

Основные параметры германиевых диодов:

- обратное допустимое напряжение Uобр.max германиевых диодов различных типов составляет от 50 до 400 В и выше;

- среднее прямое напряжение Uпр.ср на германиевых диодах составляет 0,2 – 0,5 В;

- срок службы от 5 до 20 тыс.час.;

- интервал рабочих температур от -50 до +70 0С.

С повышением температуры обратное допустимое напряжение уменьшается и по этой причине с ростом температуры окружающей среды приходиться существенно уменьшать нагрузку выпрямительного диода, а также применять дополнительное охлаждение вентилей радиаторами.

Германиевые диоды в основном используются в низковольтных выпрямительных устройствах.

Кремниевые выпрямительные диоды несмотря на более сложную технологию изготовления получили преимущественное применение по следующим причинам:

- обратный ток Iобр на один-два порядка меньше, чем у германиевых; шире интервал рабочих температур (от -60 до + 125 0С);

- допустимое обратное напряжение Uобр.max выше, чем у германиевых и достигает у некоторых диодов 1000 В;

- предельная рабочая частота в 2-3 раза выше, чем у германиевых диодов ( гр = 20 – 30 кГц).

Недостатком кремниевых диодов является большое падение напряжения на диоде, в 2-3 раза превышающее Uпр.ср германиевых диодов, т.е. Uпр.срSi = 0,5 – 1,5 В.

Как германиевые, так и кремниевые диоды весьма чувствительны токовым перегрузкам, которые приводят к тепловому пробою.

Промышленностью выпускаются неуправляемые кремниевые диоды, рассчитанные на токи до 1000 А и Uдоп.max ≈ 1000 В.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ПРОИЗВОДНАЯ СЛОЖНОЙ ФУНКЦИИ. | Основные параметры силовых полупроводниковых вентилей.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.117 сек.