Подвижность носителей в собственном полупроводнике пределяется рассеянием носителей на фононах.
Средняя длина свободного пробега электронов обратно пропорциональна концентрации фононов, которая в области высоких температур пропорциональна температуре
~ 
В невырожденном электронном газе средняя скорость движения электронов v пропорциональна 
.
Подвижность обусловлена рассеянием на фононах
~ 
Если электронный газ вырожден, то вклад в проводимость вносят электроны, которые располагаются вблизи уровня Ферми. Время релаксации 
, l - длина свободного пробега электронов, обладающих энергией, близкой к EF, vF – скорость их движения.
Т.к. vF от Т практически не зависит, для подвижности вырожденного электронного газа 
~ 
~Т-1
Электропроводность невырожденных собственных полупроводников увеличивается с ростом температуры по экспоненциальному закону.
