По конструктивному исполнению транзисторы подразделяются на транзисторы в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах и бескорпусные (рис. 8.12).
Рис. 8.10 Так выглядел первый транзистор, созданный
группой специалистов Bell Labs, 1947 г.
Рис. 8.11 Первые отечественные транзисторы П1А и П3А (с радиатором), 1957 г.
Рис. 8.12 Типы дискретных транзисторов (масштаб не выдержан)
По технологии изготовления
В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости транзисторы деляся на:
Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю.
Особенность: хороший коллектор точечного транзистора обязательно должен содержать примесь n-типа.
Коллекторные переход и контакт и эмиттерный переход формируются подачей на коллекторный вывод импульса сильного тока. При этом медь (I-валентная) проволочки с большой скоростью диффундирует в материал n-типа в области коллектора и эмиттера (германий) и в небольшой области превращает его в материал p-типа. Медленно же диффундирующий материал примеси в область коллектора (фосфор, V-валентный, фосфористая бронза) в непосредственной близости от контакта коллектора снова превращает материал в германий n-типа.
В результате образуется структура p-n-pn-транзистора (транзистор с коллекторной ловушкой).
Эмиттерный контакт можно сделать почти из любого металла в данном случае контакт содержит примесь бериллия (II валентный, бериллиевая бронза)
Cплавной плоскостной транзистор. См. также рис. 8.5
Рис. 8.14 сплавной плоскостной транзистор типа p-n-p, показанный схематически в разрезе.
p-n переходы образуются как и при технологии изготовления сплавного диода, рассмотренного выше.
На подложке n+ выращен эпитаксиальный слой n и затем последовательно произведена двойная локальная диффузия (через маску SiO2).
Дайджест структур транзисторов
Рис.8.16 Структуры транзисторов
Флеров А.Н. курс “Физические основы микроэлектроники”
Для самостоятельного изучения
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Классификация транзисторов и их параметры
Наиболее часто в технической литературе и справочниках транзисторы классифицируют по допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоте.
Допустимая рассеиваемая мощность
маломощные, Pрасс < 0,3Вт
средней мощности, 0,3вт < Pрасс < 1,5Вт
мощные, Pрасс > 1,5 Вт
Граничная частота
низкочастотные, Fгр< 30 МГц
высокочастотные, 30 МГц < Fгр< 300 МГц
свехвысокочастотные, Fгр> 300 МГц
По конструктивному оформлению транзисторы бывают корпусные и бескорпусные. Бескорпусные транзисторы применяются в ИМС и могут иметь гибкие или жесткие выводы.
Обозначение транзисторов
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
ХХХХХХХ-Х
1, первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из
которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:
Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 - для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия;
И или 4 - для соединений индия.
Пример:
ГТ403А
КТ416Б
3П325А
2, второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу)
транзистора.
Т - для биполярных транзисторов;
П - для полевых.
Пример:
КТ416Б
КП303А
3, третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности
транзистора.
Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой
мощностью не более 0,3 Вт):
1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):
4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):
7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
Пример:
КТ301А
КТ404А
КТ502В
КТ608Б
КТ802А
КТ901А
4,5,(6), четвертый, пятый, шестой элемент - число, обозначающее
порядковый номер разработки транзистора.
Пример:
КТ315А
КТ3102Б
6 (7), (шестой) седьмой, последний - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.
Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно, через
