Бездрейфовый транзистор

Бездрейфовый транзистор имеют во всем объеме базы одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля, и носители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору.

Скорость такого движения меньше скорости дрейфа носителей в ускоряющем поле. Поэтому бездрейфовые транзисторы предназначены для более низких частот работы, нежели дрейфовые.

Как правило бездрейфовые транзисторы имеют сплавные переходы.

Дрейфовый транзистор

В дрейфовом транзисторе движение носителей заряда в базе вызывается главным образом дрейфовым полем, которое создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора при его изготовлении.

Это поле ускоряет движение неосновных носителей заряда в базе к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту.

При изготовлении дрейфовых транзисторов применяется метод диффузии, при котором база может быть сделана очень тонкой. Коллекторный переход получается плавным и его емкость гораздо меньше, чем у сплавных переходов.

Переходы дрейфового транзистора формируются методом диффузии, имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы дрейфовых транзисторов: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, мезапланарный.

Метод диффузии позволяет изготавливать транзисторы более точно, с меньшим разбросом параметров и характеристик.

По электрическим характеристикам и областям применения

Различают транзисторы:

- маломощный транзистор (например: малошумящие маломощные транзисторы используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств);

- мощный транзистор (например: генераторные транзисторы, используются в радиопередающих устройствах и УНЧ);

- ключевой транзистор (используются в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей и цифровой технике);

- импульсный транзистор (в импульсных электронных системах), транзистор с малым временем задержки проходящего через него сигнала и малым сопротивлением в режиме насыщения. Предназначен для работы работы в импульсном режиме;

- конверсионный транзистор, германиевый транзистор, в технологии изготовления которого используется превращение (конверсия) исходного полупроводникового материала n-типа проводимости в р-тип введением меди и закалкой, применяется в высокочастотной и импульсной аппаратуре различного назначения;

- лавинный транзистор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора, применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом;

- oдноперехо́дный транзи́стор— полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом, в схемах формирования импульсов;

- фототранзистор (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних).

По рабочей частоте

Различают низкочастотные транзисторы (до 30 Мгц), высокочастотные (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц).

Транзисторы применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от единиц Гц до нескольких десятков Ггц.