Нижний электрод

В реакторе ВЧ-полем возбуждается газоразрядная плазма между двумя параллельными электродами, расположенными на расстоянии 15 - 40 мм друг от друга. Пластины находятся в области газового разряда. Для равномерного травления подложкодержатель вращают с частотой 0,1 об./сек.

Контролируют: величину наклона профиля травления и отклонение размеров, наличие сыпи и матовости на обработанной поверхности.

Плазмохимическое удаление фоторезиста ( ПХУФ )

ПХУФ - наиболее эффективный и безопасный процесс, одновременно обеспечивающий и очистку пластин.

ПХУФ выполняется в вакуумных реакторах в низкотемпературной смеси кислорода с азотом.

При t = 150 - 200° С ионы кислорода активно окисляют слой фоторезиста, образуя летучие соединения. Азот предохраняет открытые участки кремния от окисления. Длительность обработки существенно сокращается по сравнению с жидкостными методами.

Достоинства ПХУФ: Слабая зависимость процесс удаления фоторезиста от режимов задубливания; высокая чистота подложек; нетоксичность.

Недостатки ПХУФ: Невозможность удаления посторонних металлических

включений ( их удаляют дополнительной обработкой пластин в растворах кислот ), возможны радиационные дефекты.

Тема: Металлизация

Общие сведения о металлизации

В производстве полупроводниковых приборов и ИМС широко используются тонкие металлические пленки. Их применяют для изготовления тонкопленочных резисторов и конденсаторов, металлических дорожек ( межсоединений ) и контактных площадок. В зависимости от назначения элементов ИМС используют пленки из платины, золота, серебра, никеля, хрома, меди, алюминия, молибдена и др.

Процесс формирования межсоединений в ИМС складывается из двух этапов: металлизации и фотолитографии по металлической пленке.

Металлизация- это нанесение на кремниевую пластину, на которой уже сформированы структуры, сплошной металлической пленки.

Фотолитография по металлической пленке обеспечивает требуемую форму ( конфигурацию ) металлических дорожек, а также формирует по краю кристалла ИМС контактные площадки, необходимые для присоединения ИМС к внешним выводам корпуса.