Температура второй стадии выше - 1050° - 1230°С. Примесь, введенная на первой стадии, перераспределяется, поверхностная концентрация уменьшается за счет частичного ухода примеси вглубь пластины. Глубина проникновения примеси в полупроводниковую пластину увеличивается до заданной глубины. Создается требуемая диффузионная область.
Температура и длительность второй стадии диффузии определяется требуемой глубиной диффузионной области. Процесс ведут в окислительной среде. Растущая при диффузии примеси пленка SiO2 защищает поверхность кремния от эрозии (в результате его возможного испарения ), от нежелательных химических реакций, от испарения, от попадания посторонних частиц.
Способы проведения диффузии.
Наиболее широко в технологии производства ИМС используют способ диффузии в открытой трубе. Кремниевые пластины (от 50 до 200 штук) загружают в кассете в кварцевую трубу через ее выходной конец, сообщающийся с атмосферой. Входной конец трубы соединен с системой подачи газа- носителя.
Источниками примеси (диффузантами) являются твердые, газообразные, жидкие, стеклообразные соединения, в состав которых входит легирующий элемент. Примеси в элементарном состоянии для диффузии не применяют.
При проведении диффузии с использованием твердого источника применяют двухзонные печи.
