Пленок подзатворного окисла для МОП - транзисторов.

Кремний обладает большим сродством к кислороду, поэтому уже при комнатной температуре поверхность кремния покрыта пленкой SiO₂ толщиной 10 – 50 Å. Для увеличения толщины этой пленки необходима термическая стимуляция окисления.

Процесс получения термического окисла можно разбить на четыре этапа:

Доставка окислителя к подложкам и адсорбция частиц окислителя поверхностью;

2. диффузия окислителя сквозь пленку SiO₂ к поверхности кремния;

3. химическое взаимодействие окислителя с кремнием с образованием SiO₂;