русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Отверстия для поступления суспензии


Дата добавления: 2014-04-10; просмотров: 672; Нарушение авторских прав


 

Для двусторонней шлифовки применяют водные и глицериновые суспензии микропорошков SiC ( карбид кремния ) или В4С ( электрокорунд ). Шлифовку проводят в несколько этапов, постепенно уменьшая зернистость порошка от 28 мкм до 3 мкм.

Разрушение обрабатываемой поверхности происходит за счет перекатывания зерен абразива между поверхностями пластин и шлифовальника. После шлифовки пластины очищают от загрязнений, контролируют и передают на полировку.

Полируют пластины на мягких полировальниках. Для этого тканые и нетканые материалы (сатин, батист, сукно, велюр, замшу и др.) натягивают на обычный шлифовальный круг и закрепляют. Полировку выполняют в несколько этапов, постепенно уменьшая размер зерна и твердость абразива, а на последнем этапе полностью исключают абразив.

Полировка может быть односторонней и двусторонней.

Механическая предварительная полировкавыполняется алмазными суспензиями и пастами с размером зерен микропорошка от 3 мкм до 1 мкм.

Окончательная (тонкая) полировкавыполняется мягкими полировальными составами на основе оксидов алюминия, кремния, хрома и других с размером зерна менее 1 мкм.

Полировка по своей сущности не отличается от шлифовки, отличие состоит лишь в применяемых абразивных материалах, их зернистости, материале полировальника и режимах обработки. Механическую полировку иногда называют тонкой шлифовкой.

После полировки пластины очищают от загрязнений и контролируют.

 

Тема: Химическая обработка. Виды загрязнений. Обезжиривание.

На технологической операции "Химическая обработка" с поверхности полупроводниковых пластин удаляются имеющиеся там загрязнения.

Технологически чистой считается поверхность, на которой концентрация загрязнений не препятствует воспроизводимому получению заданных параметров ИМС и их стабильности.



 
 

Для правильного выбора метода очистки полупроводниковых пластин от загрязнений необходимо знать, какие загрязнения имеются на поверхности пластин, как их можно удалить, какое влияние они могут оказать на свойства ИМС и на качество последующих операций, а также методы контроля чистоты поверхности.

1. Каскадный метод.

Пластины во фторопластовых кассетах погружают в двух- четырех каскадную ванну. По мере очистки кассеты с пластинами переносят из одной ванны в другую навстречу движению растворителя, что обеспечивает непрерывный отвод загрязнений от пластин.

 

2. В парах растворителя.

Загрязнения с пластин удаляются вместе с каплями конденсата.

Исключается повторное загрязнение.

 

3. Ультразвуковое обезжиривание.

Выполняют в специальных ваннах, дно и стенки которых совершают механические колебания с ультразвуковой - частотой. Эти колебания вызывают перемешивание растворителя и кавитацию, и загрязнения быстро удаляются из самых труднодоступных участков.

4. В растворах моющих порошков.

Жиры на поверхности пластин переводятся в мыла, представляющие собой растворимые в воде соли, которые удаляются последующей отмывкой в воде.

5. В щелочах.

Жиры разлагаются с образованием растворимых в воде соединений, которые удаляются последующей отмывкой в воде.

6. В паре.

Пероксидно-аммиачный раствор состоит из пероксида водорода, гидрооксида аммония и воды ( Н2О2 : NH4OH : H2O =1:1:4) Удаляет все жировые загрязнения, неорганические загрязнения, ионы различных металлов путем их оксидирования атомарным кислородом. Щелочь ускоряет процесс разложения перекиси, омыляет жиры и связывает в хорошо растворимые комплексы некоторые металлы.

7. В кислотах.

Удаляются атомы и ионы металлов, жировые загрязнения, а также оксиды, нитриды, сульфиды и др. соединения. Удаление ионов металлов сопровождается их вытеснением ионами водорода. Для удаления атомов металлов применяют кислоты, растворяющие эти металлы.

8. В пероксидно-кислотных растворах ( Н2О2 : НNO3 : Н2O =1:1:1)

При нагревании кислота легко разлагается, эффективно связывая в комплексы ионы щелочных металлов.

8. Хорошие результаты обеспечивает очистка пластин кремния в растворе «Каро» ( H2SO4 : Н2О2 = 3 : 1 ) при температуре 130°.

Травление. Очистка в H2O

Травление- это процесс окисления поверхности пластин и перевод образовавшегося окисла в растворимую соль.

Травление проводится после обезжиривания, т.к. только в этом случае травитель хорошо смачивает всю поверхность пластин, и верхний слой (например, нарушенный) удаляется равномерно.

Процесс травления можно разбить на пять стадий:

Диффузия травителя к обрабатываемой поверхности;

Адсорбция травителя поверхностью;

Химическое взаимодействие травителя с обрабатываемым материалом;

Десорбция продуктов химических реакций;



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Нижний шлифовальник | Диффузия продуктов химических реакций от поверхности.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.227 сек.