русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Формирование p-n гетероперехода.


Дата добавления: 2014-03-24; просмотров: 694; Нарушение авторских прав


а б

Рис.63. Схематическое изображение гетеропереходов Ι рода(а) и ΙI рода(б) рода

7.2. Гетеропереходы Ι рода.

 



Рис.64. Зонные структуры полупроводниковых материалов формирующих гетеропереход.

χ – сродство к электрону или электронное сродство – это энергия необходимая для вывода электрона из зоны проводимости на уровень вакуума (другими словами за пределы кристалла).

Сродство к электрону является величиной постоянной и неизменной для данного типа кристалла.

Φ – Работа выхода – работа необходимая для вывода электрона с уровня Ферми на уровень вакуума (другими словами за пределы кристалла).

Работа выхода зависит от положения уровня Ферми в зонной структуре полупроводника.

ΔЕс и ΔЕv - разрывы в зоне проводимости и в валентной зоне.

(45)

 



Как и в случае p-n гомопереходом при контакте двух объемных кусков полупроводника возникает кратковременный ток носителей заряда, что приводит к возникновению встроенного объемного заряда и электрического поля противодействующего дальнейшему перемещению носителей заряда.

 



 



Рис.65. Схема образования p-n гетероперехода

После контакта полупроводников величины сродства к электрону и работы выхода сохраняют свою величину (модель Андерсона) возникает искривление зон, как и в гомопереходе, но вместе с тем возникают и разрывы зон ΔЕс и ΔЕv. Разрывы зон существенно влияют на протекание электрического тока через p-n гетероропереход. В суммарном токе через гетеропееход доля тока носителей заряда из широкозонного материала в узкозонный всегда преобладает над током носителей заряда из узкозонного материала в широкозонный, при этом суммарный ток остается неизменным.

 



Рис.66. Зонная структура p-n гетероперехода Ι рода.

 



Рис.67. Независимо от типа проводимости узкозонного материала дополнителный барьер возникает для носителей инжектируемых в широкозонный материал. Возникает дополнительный барьер для электронов и снижается для дырок(а,в) и возникает дополнительный барьер для дырок и снижается для электронов(с,d).

7.4 Ток через p-n гетеропереход Ι рода.

(46)

Как и в случае с гомо p-n переходом имеется составляющие дырочного и электронного тока носителей заряда. Суммарный ток через p-n гетеропереход состоит из суммы токов дырочного и электронного.

(47)

Однако имеется значительное различите в величине составляющих токов. Для случая, приведенного на рис b (узкозонный материал n-типа и широкозонный материал Р-типа) возникает дополнительный барьер для электронов, поэтому электронный ток будет меньше дырочного пропорционально экспоненциальному множителю. Его достаточно просто можно рассчитать из отношения электронного и дырочного токов.

(48)

(49)

Из соотношения (55) следует, что согласно экспоненциальному закону электронный ток более чем на порядок меньше дырочного, что обеспечивает практически одностороннею инжекцию дырок из широкозонного материала в узкозонный.

7.5 Изотипные гетеропереходы Ι рода

 



Рис. 68. а изотипный гетеропереход n-N гетеропереход построенный из материалов n типа проводимости один из которых широкозонный.

Рис. 68. b изотипный гетеропереход р-P гетеропереход построенный из материалов р - типа проводимости один из которых широкозонный.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Гетеропереход. | Двойная гетероструктура


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Полезен материал? Поделись:

Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.001 сек.