Оперативная память

Оперативная память ( англ. Random Access Memory, дословно - память с произвольным доступом, первичная память) - память ЭВМ, предназначенная для хранения кода и данных программ во время их выполнения. В современных компьютерах оперативная память основном представлена динамической памятью с произвольным доступом DRAM.

Различные типы оперативной памяти

Противоположностью памяти с произвольным доступом является память с последовательным доступом.При произвольном доступе, память организована таким образом, что в любой момент можно получить значение, записанное в любой ячейке памяти, не просматривая другие ячейки. При памяти с последовательным доступом, которая реализуется, например, на магнитной ленте, для доступа к определенному элементу памяти нужно прокрутить ленту, считывая другие элементы.

Виды ЗПДД (запоминающее устройство с произвольным доступом):

• Полупроводниковая статическая ( SRAM ) - ячейками являются полупроводниковые триггеры.Преимущества - небольшое энергопотребление, высокое быстродействие. Отсутствие необходимости проводить «регенерацию». Недостатки - малый объем, высокая стоимость. Сейчас широко используется как кэш-память процессоров в компьютерах.

• Полупроводниковая динамическая ( DRAM ) - каждая ячейка является конденсатором на основе перехода КМОП -транзистора. Преимущества - низкая стоимость, большой объем. Недостатки - необходимость периодического считывания и перезаписи каждой ячейки - т. н «Регенерации», и, как следствие, снижение быстродействия, большое энергопотребление. Регенерация реализуется специальным контроллером, установленным на материнской плате или в центральном процессоре. DRAM обычно используется как оперативная память ( ОЗУ ) компьютеров.

• Ферромагнитная - является матрицей из проводников, на пересечении которых находятся кольца или биаксы, изготовленные из ферромагнитных материалов. Преимущества - устойчивость к радиации, сохранение информации при выключении питания; недостатки - малая емкость, большой вес, стирание информации при каждом чтении. В настоящее время в таком, собранном из дискретных компонентов виде, не применяется.

Однако к 2003 году появилась магнитная память MRAM в интегральном исполнении. Сочетая скорость SRAM и возможность хранения информации при отключенном питании, MRAM является перспективной заменой типам ROM и RAM. Однако она примерно вдвое дороже микросхемы SRAM (при той же емкости и габаритах).