Встраивание компонента статического ОЗУ в устройство динамического ОЗУ может обеспечить повышение производительности до 40%. Независимый тракт записи позволяет системе вводить новые данные, не влияя на работу остальной части микросхемы. В основном, эти устройства используются в кэш-памяти L2.
Еще один модифицированный тип динамического ОЗУ, называемый синхронным динамическим ОЗУ (SDRAM), использует специальные внутренние регистры и тактовые сигналы для организации запросов данных из памяти. В отличие от асинхронных модулей памяти, устройства синхронного динамического ОЗУ работают синхронно с тактовыми сигналами системы. После выполнения первоначального обращения к устройству памяти для чтения или записи последующие обращения могут выполняться в высокоскоростном групповом режиме, в котором выполняется одно обращение за такт. Это позволяет микропроцессору во время чтения/записи данных выполнять другие задачи.
Специальные внутренние конфигурации также ускоряют работу синхронного динамического ОЗУ. В устройстве синхронного динамического ОЗУ используется внутреннее чередование, что позволяет обращаться к одной стороне памяти, пока во второй завершается операция. Поскольку существует две версии синхронного динамического ОЗУ (2-тактная и 4-тактная), необходимо убедиться, что используемый тип синхронного динамического ОЗУ поддерживается микропроцессорным набором системной платы.
Память расширенного вывода данных (extended data out, EDO) повышает скорость выполнения операций с ОЗУ за счет исключения 10-наносекундного времени ожидания, которое обычно требуется между выдачей адресов памяти. Это достигается путем отказа от отключения контактов шины данных между тактами шины. Память EDO представляет собой усовершенствованный тип быстродействующего динамического ОЗУ с использованием страничного режима, которое называют также динамическим ОЗУ с использованием гиперстраничного режима. Преимущество динамического ОЗУ EDO становится очевидным при выполнении множества последовательных обращений к памяти. В результате отказа от отключения контакта данных каждое последующее обращение выполняется за два такта, а не за три.
В типовых устройствах динамического ОЗУ доступ к данным, хранящимся внутри устройства, осуществляется микропроцессором системы и видеоконтроллером. Микропроцессор обращается к ОЗУ, чтобы дополнить хранящиеся в нем данные и поддерживать их в обновленном состоянии. Видеоконтроллер перемещает данные из памяти, чтобы вывести информацию на экран. Обычно оба устройства должны обращаться к данным по одной и той же шине данных. В видео-ОЗУ применяется специальная двухвходовая система доступа, ускоряющая операции с видеоинформацией. Windows-ОЗУ — специальная версия видео-ОЗУ — оптимизировано для поблочной передачи данных. Это позволяет ему работать со скоростью, равной до 150% скорости работы обычных видео-ОЗУ. При этом оно может оказаться на 20% дешевле.
Компания Rambus разработала запатентованную технологию изготовления памяти динамического ОЗУ, которая сулит очень высокие скорости доставки данных. Эта технология получила ряд различных наименований, в том числе динамическое ОЗУ Rambus (Rambus DRAM, RDRAM), прямое динамическое ОЗУ Rambus (direct Rambus DRAM, DRDRAM) и модуль линейной памяти Rambus (Rambus inline memory module, RIMM). Термин RIMM применяется по отношению к специальному 184-контактному модулю памяти, предназначенному для установки устройств Rambus. Модули RIMM выглядят подобно модулям DIMM. Однако использование в них высокоскоростных режимов передачи данных приводит к выделению существенно большего количества тепла, нежели при работе обычных модулей DIMM. Поэтому модули RIMM содержат алюминиевый тепловой экран, называемый теплоотводом и призванный защищать микросхемы от перегрева.
В технологии Rambus используется специальный внутренний 16-разрядный канал данных, который работает совместно с тактовым генератором с частотой 400 МГц. 16-разрядный канал позволяет устройству работать со значительно более высокими скоростями, чем более привычные 64-разрядные шины. Хотя компания Intel проявила некоторую заинтересованность в исследовании этой технологии для применения в своих будущих конструкциях системных плат, тот факт, что стандарт является запатентованным, может затруднить его признание на рынке.
Модули R1MM выглядят подобно модулям DIMM, но имеют другое количество выводов. Передача данных в модулях RIMM выполняется цепочками по 16 разрядов. Большие скорости обращения и передачи данных приводят к образованию большего количества тепла.
