Види постійної пам’яті: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, PLM (програмовані логічні матриці), PML (програмована матрична логіка).
За можливістю програмування розрізняють:
1. мікросхеми, що програмуються при виготовленні (ROM);
2. мікросхеми, що програмуються одноразово після виготовлення перед установкою (PROM);
3. мікросхеми, що стираються та програмуються багатократно (EPROM).
У залежності від способу стирання розрізняють:
- мікросхеми, що стираються ультрафіолетовим випромінюванням (EPROM);
- мікросхеми, що стираються електрично (EEPROM, Flash Memory).
ПЗП застосовуються для зберігання незмінної або рідко змінної інформації – системне програмне забезпечення (BIOS); різного роду таблиці, пам'ять про конфігурацію пристрою та ін.
Flash Memory відноситься до класу EEPROM, але використовує особливу технологію побудови запам’ятовуючих комірок.
Flash Memory має високу щільність упаковки, енергонезалежне зберігання, електричне стирання та запис, низьке споживання, високу надійність і невисоку вартість.
Розрізняють три покоління Flash Memory. Останні розробки флеш-пам’яті використовують нову технологію побудови запам’ятовуючих комірок: у одній комірці можна зберігати два біти інформації замість одного.