Одним із схемотехнічних засобів зменшення часу переключення схеми є зменшення опору резистора Rк, проте при цьому збільшується потужність, що споживається ключем від джерела живлення.
Зменшити час розсасування надлишкового заряду в базі можна, якщо використати схему ключа з нелінійним зворотним зв'язком, що не дає перейти транзистору у режим насичення та усуває накопичення надлишкового заряду в області бази. Схеми ненасиченого ключа наведені на рис. 2.6 а, б.
Нелінійний зворотний зв'язок здійснюється через діод VD. Стан діода (проводить струм або не проводить) визначається полярністю і значенням напруги, прикладеної до діода:
(2.1)
а) б)
а) - з звичайним діодом; б) - з діодом Шоткі
Рисунок 2.6 - Ключова схема з нелінійним зворотним зв'язком
До подачі на вхід схеми відпираючого імпульсу, діод закритий і зворотний зв'язок не діє. При надходженні великого вхідного сигналу вхідний струм спочатку протікає через резистори R1, R2 і перехід база-емітер транзистора. У процесі відмикання транзистора напруга на переході база-колектор зменшується, та у той момент, коли вона досягне значення
, (2.2)
діод відкривається і частина вхідного струму буде протікати через діод і колектор-емітер транзистора на корпус в обхід бази, внаслідок чого струм бази зменшується і транзистор не входить у насичення.
При виготовленні ключа по інтегральній технології в колі зворотного зв'язку використовують діоди Шоткі, що являють собою перехід "метал-напівпровідник" і відрізняються від звичайних діодів із p-n-переходом меншим падінням напруги на відкритому діоді, що дозволяє виключити резистор R2.
