Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Для изготовления туннельных диодов используют полупроводниковый материал с очень высокой концентрацией примесей, вследствие чего получается малая толщина p-n-перехода, и сквозь тонкий потенциальный барьер возможно туннелирование свободных носителей заряда.
ВАХ туннельного диода при прямом смещении.
Параметры:
Пиковый ток– значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики;
Ток впадины– значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики;
Отношение токов пикового/впадины.
Напряжение пика – значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току;
Напряжение впадины – значение прямого напряжения, соответствующее току впадины;
Напряжение раствора – значение прямого напряжения на второй восходящей ветви, при котором ток равен пиковому току.
