русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Фототранзисторы


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1209; Нарушение авторских прав


Фототранзистором (ФТ)- называется полупроводниковый прибор с двумя pn-переходами, преобразующий световой поток в электрический ток и обладающий свойствами усиления фототока.

По своему устройству ФТ подобен биполярному транзистору. Особенностью является то, что его база должна быть доступна для воздействия света (вообще может быть освещена любая область). Поэтому кристалл с выводами помещают в металлический корпус с прозрачным окном (линзой).

Принцип действия рассмотрим на примере ФТ типа p-n-p.

 
 


 
 

Рис.7. Схематическое устройство фототранзистора

 
 


I

Ф=

 

 

Рис.8. Условное обозначение и ВАХ фототранзистора

 

Напряжение питания Екэ включается между К и Э таким образом, что коллекторный переход оказывается закрытым, а эмитерный – открытым. База остаётся свободной.

При отсутствии освещения в цепи ФТ под действием Екэ протекает небольшой темновой ток Iт, обусловленный носителями заряда, поступившими из Э в К.

Под действием света в области Б образуются пары «электрон-дырка». Дырки, являясь к базе не основным носителем зарядов, свободно переходят в коллектор, увеличивая его ток. Электроны же через переход пройти не могут и накапливаются в базе, понижая её потенциал и снижая тем самым высоту потенциального барьера эмиттерного перехода. Благодаря этому резко возрастает число дырок, переходящих из эмиттера в базу. Большая часть дырок, перешедших в базу, втягивается в коллектор, что приводит к ещё большему росту току коллектора. Меньшая часть дырок рекомбинирует в базе. Т.о. происходит рост тока коллектора по сравнению с током, образованным в цепи базы под действием света, и последовательно, усиление фототока. Благодаря усилению фототока интегральная чувствительность ФТ значительно выше, чем у ФД, и может достигать 1 А/лм.



 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Основные параметры вентильных фотоэлементов | Фототиристоры


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.347 сек.