Скорость нарастания тока тиристора определяется как коэффициент di/dt. Максимальный коэффициент di/dt, при котором прибор способен сохранять включенное состояние, называется его критической скоростью нарастания тока.
Рассказки про вертикальный принцип управления.
1.3. Биполярный транзистор
Транзистор — это полупроводниковый прибор, изготовленный в виде трехслойной полупроводниковой структуры, образующей два близко расположенных p-n-перехода. Транзистор имеет три вывода, которые называются «эмиттер», «база» и «коллектор». Принцип работы транзистора можно объяснить с помощью рис. 1.6а.
Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, что обеспечивает инжекцию неосновных носителей в область базы. Коллекторный переход смещен в обратном направлении и обеспечивает сбор неосновных носителей, инжектированных эмиттерным переходом в область базы. Следует заметить, что область базы должна иметь достаточно малую толщину. В противном случае все инжектированные носители успеют ре комбинировать при прохождении через область базы. Допустим, что через эмиттерный переход протекают 100% электронов. Если в области базы приблизительно 1 % инжектированных электронов рекомбинируют, то оставшиеся 99% электронов пройдут через коллекторный переход.
Транзистор является устройством, управляемым током. Если через базовый переход протекает ток, транзистор находится в проводящем состоянии.
Если через базовый переход то к отсутствует, транзистор не проводит..Таким образом, транзистор работает как управляемый ключ. Если на базу подать импульс тока, транзисторный ключ откроется. В отсутствие импульса тока на базе транзисторный ключ разомкнут.