русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Структура, принцип действия и вольт-амперная характеристика диодного тиристора (динистора)


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1696; Нарушение авторских прав


Тиристоры

Структура диодного тиристора состоит из четырех областей полупроводника с чередующимся типом электропроводности (рис. 5.1). Кроме трех выпрямляющих переходов тиристор имеет два омических перехода. Один из омических переходов расположен между крайней n-областью и металлическим электродом, который называют катодом. Другой омический переход расположен между крайней p-областью и металлическим электродом, который называется анодом.

Вначале рассмотрим процессы, происходящие в тиристоре при подаче на него прямого напряжения, т. е. при положительном потенциале на аноде. В этом случае крайние p-n-переходы смещены в прямом направлении, поэтому их называют эмиттерными; средний p-n-переход смещен в обратном направлении, поэтому го называют коллекторным. Соответственно в таком приборе существуют две эмиттерные области (n- и p- эмиттеры) и две базовые области (p- и n- базы).

Большая часть внешнего напряжения падает на коллекторном переходе, так как он смещен в обратном направлении. Поэтому первый участок прямой ветви ВАХ тиристора похож на обратную ветвь ВАХ выпрямительного диода. С увеличением анодного напряжения, вложенного между анодом и катодом, увеличивается прямое напряжение и на эмиттерных переходах. Электроны, инжектированные из n-эмиттера в p-базу, диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в n-базу. Дальнейшему продвижению электронов по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер правого эмиттерного перехода (рис.5.1). Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме n-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьераправого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из p-эмиттера в n-базу.

Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в p-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в p-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обуславливает увеличение инжекции электронов из n-эмиттера. Таким образом, в структуре тиристора существует положительная обратная связь по току.



 

54. Структура и принцип действия триодного тиристора.

Для переключения триодного тиристора также как и диодного необходимо накопление неравновесных носителей заряда в базовых областях. В триодном тиристоре, имеющем управляющий вывод от одной из базовых областей с омическим переходом между управляющим электродом и базой, уровень инжекции через прилегающий к этой базе эмиттерный переход можно увеличить путем подачи положительного по отношению к катоду напряжения на управляющий электрод. Поэтому триодный тиристор можно переключать из закрытого состояния в открытоее в необходимый момент времени даже при небольшом анодном напряжении.

 

Способы включения и выключения тиристоров.

 

1.Срособы включения.

-Плавное увеличение анодного напряжения.

-Быстрое увеличение анодного напряжения

Увеличение скорости позволяет уменьшить Uвкл.

Будет происходить быстрое накопление заряда в базовой области.

 

-Увеличение Iу (первые два для динисторов, 3-для тринисторов)

-За счет увеличения освещенности базовых областей.

По закону фотоэффекта количество носит. Заряда в баз области растет=> Uвкл падает



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ПОНЯТИЕ И СТРУКТУРА ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ | Прекордиальный вибрирующий шум (шум Стилла)


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.008 сек.