The vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) is a quantum-well laser with a cavity defined vertically by multiple-quantum-well structures, called distributed-Bragg reflectors (DBRs). The active region often contains multiple quantum wells also. The advantages of the VCSELs are the realization of 2-D laser arrays, and compatibility with IC processing so that they can be integrated with the circuitry on the same chip.
THE LIST OF TERMS:
1. Substrate- подложка
2. Transit time- время пролета
3. Rectifier- выпрямитель
4. Valence band- зона валентности
5. Charge- заряд
6. Discharge-разряд
7. Switch- переключатель
8. Junction- переход
9. Mixer- преобразователь частот
10. To refine- усовершенствовать
11. Pulse of current- импульс тока
12. Doping- легирование
13. Dopant- примесь, легирующее вещество
14. Cat’s whisker (point contact)- точечный контакт
15. Hole- дырка
16. Alloy method- метод сплава
17. Impurity- примесь
18. Eutectic temperature- критическая температура
19. Interface- граница раздела поверхностей
20. Implantation (injection)- введение, внедрение
21. Deposited material- осажденный материал
22. Epitaxial growth- эпитаксиальное наращивание
23. Abundant- избыточный
24. To hinder- препятствовать, сдерживать
25. Diffusion- диффундирование
26. Depletion- истощение, обеднение
27. Majority carrier- основной носитель
28. Minority carrier- неосновной носитель
29. Drift current- ток дрейфа
30. Reverse bias- обратное смещение
31. Forward bias- прямое смещение
32. Quiescent bias- неподвижное смещение
33. I-V characteristics- вольт- амперные характеристики
34. Energy gap- запрещенная зона
35. Breakdown voltage- напряжение пробоя
36. Impact ionization –импульсная ионозация
37. Avalanche multiplication- лавинное умножение
38. To store- накапливать
39. Reverse recovery- обратное восстановление
40. Frequency response- отклик по частоте
41. Carrier lifetime- продолжительность действия заряда
42. Leakage current- ток утечки
43. Step-recovery diode- импульсный диод с накоплением заряда
44. Capacity- электрическая емкость
45. Сapacitance- удельная эл. емкость
46. Zener diode- стабилитрон
47. Field effect transistor(FET)- полевой транзистор
48. C-V characteristics- емкостно-вольтные характеристики
49. Current gain- коэфициент усиления тока
50. Intrinsic layer- внутренний слой
51. Excess energy- избыточная энергия
52. Energy band discontinuity- неоднородность полосы пропускания
53. Mesa etching- мезатравление
54. Attenuation- ослабление, затухание
55. Vacuum-deposited metal- металл, обогащенный вакуумом
56. Trap- заграждающий фильтр
57. Imperfection- погрешность, неточность
58. Photoresponse- световосприимчивость
59. To expose- подвергать чему-либо
60. Clamped bipolar transistor- запирающий биполярный транзистор
61. Saturation- насыщение
62. To eliminate- устранять, исключать
63. Interfacial layer- межфазный слой
64. Bulk-barrier diode- оптобарьерный диод
65. Back-to-back- с обратной связью; обратно-смещенный
66. Lattice- кристаллическая решетка
67. Affinity- сходство; свойство
68. Ball alloy- шаровая наплавка
69. Backward diode- обратный диод, диод с обратной связью
70. Frequency conversion- преобразование частоты
71. Transferred-electron device-передающее электронное устройство
72. Heat sink- радиатор, теплоотвод
73. Valley- точка минимума тока на характеристике туннельного или двухбазового диода
74. Intrinsic base- активная база
75. Extrinsic base- пассивная база
76. Mobility- подвижность
77. Dipole- симметричный вибратор
78. Accumulation-layer mode- режим накопления слоя
79. To mature- полностью сформироваться
80. Delayed mode- режим отсрочки, задержки
81. Quenched mode- режим подавления
82. To decay- распадаться
83. Molecular- beam epitaxy- молекулярно-пучковая эпитаксия
84. Vapor- выпаривание, испарение, пар
85. Terminal- вывод, клемма
86. Punch-through- просечка, сквозной пробой
87. Successive quantum wells- последовательные квантовые ямы
88. To insulate, to isolate- изолировать, отделять
89. Gate- затвор
90. bulk material- насыпной материал(в противоположность тонким пленкам)
91. enhancement mode- режим обогащения
92. drain- сток
93. overlap- перекрытие, наложение, совмещение
94. high-temperature processing- обработка высокой температурой
95. thikness- толщина
96. depth- глубина
97. (non-) uniform- (не-) однородный
98. To maintain- поддерживать, обеспечивать
99. Threshold voltage- пороговое напряжение
100. To adjust- регулировать,настраивать
101. Buried current- скрытый, внутренний ток
102. Sputtering- напыление покрытия
103. Air gap- воздушный зазор
104. Variable resistance- переменное сопротивление
105. Output impedance- выходное полное сопротивление
106. Thermal runaway- неуправляемый нагрев, тепловое убегание
107. Interdigitated patterns- встречно-гребенчатая структура
108. Absorption length- длина поглощения
109. Dark current- темновой ток
110. Open-circuit- короткое замыкание
111. Readout mode- режим снятия показаний
112. To release- высвобождать
113. Shift- сдвиг; сдвигать, смещать
114. Dissipation- рассеяние
115. Sheet resistance- сопротивление слоя
116. Heteroface- лицевая поверхность с гетеропереходом
117. Series resistance- последовательное сопротивление
118. Random-access memory- оперативная память
119. Read-write memory- двусторонняя память
120. Read-only memory- постоянная память
121. Routine program- стандартная программа
122. Density- плотность
123. Flip-flop- мультивибратор
124. Fusing- расплавление
125. To withstand- выдерживать
126. Lateral growth- слоистый рост
127. Bridge rectifier- мостиковый выпрямитель
128. Half-way rectifier- однополупериодный выпрямитель
129. Clipper- ограничитель сигнала
130. Clamper- фиксирующая схема, фиксатор
131. Cleaving- расщепление, раскалывание
132. Transverse direction- поперечное направление
133. Index of refrcation-индекс преломления
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение……………………………………………………………………..3
Preface………………………………………………………………………...3
Introduction…………………………………………………………………...4
Chapter 1. p-n Junction Diode………………………………………………..8
Chapter 2. p-i-n Diode……………………………………………………….10
Chapter 3. Schottky- Barrier Diode………………………………………….12
Chapter 4. Planar- Doped Diode…………………………………………….14
Chapter 5. Isotype Heterojunction…………………………………………...16
Chapter 6. Resonant- Tunneling Diode……………………………………...17
Chapter 7. Real-Space-Transfer Diode………………………………………20
Chapter 8. Resistor…………………………………………………………..21
Chapter 9. Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor………………………….24
Сhapter 10. Metal-Insulator-Semiconductor Switch………………………...26
Chapter 11. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor………….28
Chapter 12. Junction Field-Effect Transistor………………………………..32
Chapter 13. Photoconductor…………………………………………………34
Chapter 14. Charge-Coupled Image Sensor…………………………………36
Chapter 15. Solar Cell……………………………………………………….39
Chapter 16. Semiconductor Memories………………………………………40
Chapter 17. Permeable-Base Transistor……………………………………..43
Chapter 18. Bipolar Transistor………………………………………………44
Chapter 19. Silicon-Controlled Rectifier…………………………………….47
Chapter 20. Injection Laser………………………………………………….50
The List of Terms……………………………………………………………54
