русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 506; Нарушение авторских прав


The junction field-effect transistor (JFET) or junction-gate FET was originally proposed by Shockley in 1952. The first JFET was realized by Dacey and Ross in 1953. During the 1950s, major activities were concentrated on the bipolar transistor invented in 1948. The 1960s, on the other hand, saw rapid development of the MOSFET, which was started in 1960. The advancement of JFET technology was made mainly in the 1970s, especially when the enhancement-mode device was made practical around 1977. The JFET is similar to IGFET and MOSFET, and it serves as an alternative to these devices.

For n-channel devices, the dopant types are simply the opposite. In Si JFETs, the heavily doped substrate usually serves as the bottom gate. The active layer of n-region can be grown epitaxially or formed by ion implantation or diffusion. For GaAs devices, an intrinsic semi-insulating substrate is usually used, and a bottom gate is absent. In all cases, the top gate defines the channel length L. The distance between the top gate and the source or drain should be kept small to minimize the series resistance of the device.

The operation of a JFET is based on the modulation of the junction depletion width by the gate bias to control the net channel opening. The gate bias is applied to both the top and the bottom gates. For operation with a single gate, the analysis has to be modified slightly.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
APPLICATION | APPLICATION


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.005 сек.