Напівпровідникові прилади класифікують залежно від механізму роботи та функціонального призначення. За принципом дії напівпровідникові прилади діляться на наступні основні види: діоди, тиристори,стабілітрони, транзистори. Всередині, кожного із зазначених видів прилади поділяються на типи: діоди - за значеннями максимально допустимого середнього прямого струму, тиристори - за значеннями максимально допустимого прямого струму у відкритому стані, стабілітрони - за значеннями максимально допустимої потужності розсіювання. Прилади одного типу поділяються на класи: - Діоди - за значеннями повторюваного імпульсного зворотної напруги, - Тиристори - за значеннями повторюваного імпульсного зворотної напруги і повторюваного імпульсного напруги в закритому стані, тиристори, які проводять в зворотному напрямку, і симетричні тиристори - за значеннями повторюваного напруги в закритому стані, - Стабілітрони - за значеннями напруги стабілізації. Крім того, види діодів і тиристорів поділяються на підвиди залежно від комутаційних параметрів. Для діодів: а) діод - час зворотного відновлення не нормується; б) бистровосстанавлівающійся діод - час зворотного відновлення дорівнює або менше норми. Для тиристорів: а) тиристор - час включення і час вимкнення не нормується; б) бистровиключающійся тиристор - час виключення дорівнює або менше норми; в) бистровключающійся тиристор - час включення дорівнює або менше норми; г) швидкодіючий тиристор - час включення і час вимкнення дорівнює або менше норми. У залежності від характерних ознак діоди і тиристори поділяються наступним чином: - Тиристор, керований за допомогою зовнішнього світлового сигналу, - фототиристори; - Тиристор, керований за допомогою внутрішнього світлового сигналу від светоизлучающего діода при дії зовнішнього електричного сигналу, - оптотиристор (тиристорна оптопара); - Тиристор, проводить у зворотному напрямку, що допускає роботу в зворотному напрямку як діода, - тиристор-діод; - Діод (тиристор), що має лавинні вольт-амперні характеристики, - лавинний діод (лавинний тиристор). Крім того, прилади поділяються за конструктивними ознаками та за полярності Розглянемо склад напівпровідникових приладів. Діоди Двоелектродної преосвітній прилад, в якому використовується та чи інша властивість одного pn переходу. У свою чергу серед діодів можна виділити. а) Випрямні діоди Напівпровідниковий діод, призначений для перетворення змінного струму в пульсуючий односпрямований струм (для випрямлення змінного струму). б) Високочастотні діоди Призначені Щоб випрямлення змінного струму в радіочастотних пристроях. Основним критерієм є мінімізація ємності pn переходу. Для мінімізації переходу використовується планарна і точкова технології. в) Імпульсні діоди Напівпровідниковий діод, призначений для застосування в імпульсних режимах. Діод, адаптований для роботи з імпульсними сигналами мають ступінчастийхарактер зміни в часі. г) Стабілітрони Напівпровідниковий діод, напруга на якому в області електричного пробою (зворотної гілки ВАХ) слабо залежить від струму і який використовується для стабілізації напруги. Використовують стабілітрони в якості джерела опорної напруги. Крім звичайних стабілітронів випускають серію термокомпенсірованних стабілітронів, в яких до останнього з'єднують звичайний напівпровідниковий діод. При цьому позитивний температурний коефіцієнт (ТКН) компенсується негативним ТКН прямосмещенного переходу. Також, діод, в якому для стабілізації напруги використовують пряму гілку ВАХ, називають Стабистор. Напруга стабілізації приблизно 0,7 В. Для збільшення напруги збирають ланцюжка з послідовно з'єднаних діодів, і монтують в одному корпусі. д) Тунельні і звернені діоди Напівпровідниковий діод, що використовує при роботі крім інжекційного (дифузійного), тунельний механізм переходу через pn перехід. На ВАХ тунельного діода з'являється ділянка негативного динамічного опору. Наявність такої ділянки дозволяє будувати різні генераторні і тригерні схеми. Навернені діоди - діоди Шотткі, різновиди тунельних діодів, у яких технологічними прийомами на ВАХ усунутий ділянка негативного динамічного опору. У результаті діоди Шотткі мають менше значення прямого падіння напруги, в порівнянні зі звичайними діодами, при однакових значеннях протікають токах. е) Варикап Напівпровідниковий діод, що працює в режимі зворотного зсуву, у якого використовується залежність ємності переходу від величини прикладеного зворотної напруги. Прилади широко використовують в ланцюгах електронної налаштування радіочастотних сигналів. ж) Фотодиод Фотодіод - це напівпровідниковий оптопреобразовательний прилад, заснований на внутрішньому фотоефекті, що містить один pn перехід і має два висновки. Прилад має оптично прозоре вікно. з) Світлодіод Напівпровідниковий оптоелектронний прилад, що перетворює енергію протікає прямого струму в оптичне випромінювання інфрачервоного, видимого світлового випромінювання. і) Магнітодіод - напівпровідниковий діод, в якому використовується зміна ВАХ під дією магнітного поля. Ефект Холла. Транзистори Напівпровідникові прилади придатні для посилення потужності. Серед транзисторів розрізняють: а) Біполярний транзистор - (Зазвичай його називають просто транзистором) являє собою напівпровідниковий прилад складається з трьох областей з чергуються типами електропровідності, придатний для посилення потужності. Області поділяються електронно-дірковий переходами. Особливість транзистораполягає в тому, що між його електронно-дірковий переходами існує взаємодія-ток одного з переходів може керувати струмом іншого. Таке управління можливе, тому що носії заряду, інжектованих через один з електронно-діркових переходів, можуть дійти до іншого переходу, що знаходиться під зворотною напругою, і змінити його струм. б) одноперехідні транзистор - трьохелектродні напівпровідниковий прилад з одним pn переходом і двома невипрямляющімі контактами до базової області, призначений для посилення й генерації електромагнітних коливань при модуляції опору бази в результаті інжекції через p - n перехід не основних носіїв заряду. в) Польовий транзистор - це електропреобразовательний прилад, в якому струм через канал управляється електричним полем, що виникають при прикладанні напруги між затвором і витоком, і який призначений для посилення потужності електромагнітних коливань. г) IGBT-транзистор. Абревіатура IGBT - це скорочення назви Insulated gate bipolar transistor. У перекладі це означає біполярний транзистор з ізольованим затвором (БТІЗ). д) Біполярний магнітотранзисторах - це транзистор, в якому використовується залежність його характеристик від магнітного поля. Фізичною причиною зміни параметрів біполярних транзисторів у магнітному полі є зміна опору бази транзистора. Для збільшення чутливості мгнітотранзістори роблять з двома колекторними переходами. Магнітне поле відхиляє носії від одного колектора до іншого. По зміні струмів колекторів можна оцінити або виміряти магнітнуіндукцію поперечного магнітного поля. Тиристори Тиристор це напівпровідниковий прилад з трьома або більше pn переходами, ВАХ якого має ділянку з негативним диференціальним опором, який використовується для перемикання. а) двоелектродної тиристор (діністор) - тиристор має два зовнішніх виводу. Складається з чотирьох шарів кристала напівпровідника з чередующимся типом електропровідності. Динистор може знаходитися в двох станах: вимкненому, чи закритому, яке характеризується великим падінням напруги на динисторе та проходженням малих струмів через нього, тобто великим опором, і включеному чи відкритому яке характеризується малим падінням напруги на динисторе та проходженням великих струмів через нього, то є малим опором. У відкритому стані діністор перебуває до тих пір, поки за рахунок проходить струму підтримується кількість надлишкових зарядів у pn переходах, необхідну для пониження висоти потенційного бар'єру до величини, що відповідає прямому його включенню. Якщо ж струм через тиристор зменшити до деякої величини то в результаті рекомбінації і розсмоктування кількість надлишкових зарядів зменшиться відбудеться перерозподіл падінь напруг на pn переходах тиристорної структури і діністор перейде в закритий стан. б) трьохелектродні тиристор (тріністор) - тиристор, що має три зовнішніх виводу. Щоб перевести діністор у відкритий стан необхідне збільшення анодної напруги на динисторе до величини напруги включення. Однак той же ефект можна отримати якщо є керуючий електрод. При подачі на керуючий електрод напруги такої полярності, що прилягає перехід буде включений в прямому напрямку призведе перемикання тріністора у відкритий стан при анодній напрузі меншому напруги включення. в) Симетричний тиристор (сіммістор) - це тиристор, має практично однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги. Таким чином симетричний тиристор можна представити у вигляді двох тиристорів включених зустрічно і шунтуючих один одного. Симетричний тиристор можна зробити керованим, якщо у однієї з областей з електропровідністю p-типу здійснити невипрямляющій контакт з відповідним керуючим висновком.
