
Анализатор ВАХ (IV Analyzer-XIV1) позволяет строить вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, биполярных p-n-p и n-p-n транзисторов, полевых p и n канальных МОП транзисторов. Тип исследуемого прибора задается полем Components помощью кнопки
. Выбранный тип прибора активизируется с помощью мыши на лицевой панели анализатора. При нажатии кнопки
высвечиваются приборы: Diode (диод), BJT-p-n-p транзистор, BJT-n-p-n транзистор, MOS-p полевой транзистор и MOS-n полевой транзистор.
Установка предельных значений параметров осуществляется нажатием кнопки
(моделирование параметров)на лицевой панели.
При нажатии кнопки Sim. Param вызывается диалоговое окно Simulate Parameters. В этом окне с помощью полей Source Name:
V-начальные (Start) и конечные (Stop) параметры для моделирования , а так же приращения (Increment) и число шагов (Num.Steps) моделирования.
Для диодов (Diode) в поле Source Name: Vpn устанавливается начальное (Start:) и конечное (Stop:) значение напряжений.
Для биполярных транзисторов значения параметров устанавливаются начальное (Start) и конечное (Stop) значения токов базы (Source Name: Iв), в поле Source Name: Uce начальное (Start) и конечное (Stop) значения изменения напряжения коллектор-эммитер (KE).
Для полевых транзисторов выставляется начальное (Start) и конечное (Stop) значения напряжений сток исток (Vds) и начальное (Start) , конечное (Stop) значения напряжений затвор-исток (Vgs).
Количество поостренных зависимостей Ic=f (Ucu; Uзи=const) определяется количеством (Num.Steps) изменения напряжения затвор-исток (Vgs). Примером построения выходных ВАХ для полевого транзистора показан на рисунке.

Пример построения выходных ВАХ для полевого транзистора.