Тип силовых полупроводниковых элементов (ППЭ) определяет тип полупроводникового преобразователя, а параметры силового ППЭ определяют его статистические и динамические характеристики. Силовые ППЭ в преобразователях как правило работают в ключевом режиме. Благодаря такому режиму работы потери в силовом полупроводниковом элементе очень малы в сравнении с преобразуемой мощностью. Эти потери состоят из потерь при протекании прямого тока через открытый (насыщенный) полупроводниковый элемент и потерь на переход из открытого состояния в закрытый и наоборот.
Существенный скачок в развитии преобразовательной техники произошел с появлением биполярных транзисторов с изолированной базой IGBT и мощных полевых транзисторов с изолированным затвором MOSFET.
Развитие технологии изготовления силовых полупроводниковых элементов привело к созданию модульных силовых элементов. Модули на транзисторах IGBT показаны на рис. 6.3.
Модули на транзисторах IGBT
Рисунок 6.3.
В настоящее время силовые IGBT – модули производятся на токи( 
) A и напряжения коммутации ( 
) В и делятся на обычные и интеллектуальные. Обычные модули выпускаются в одно-, двух-, четырех- и шестиключевом исполнении с обратными диодами быстрого восстановления.
Интеллектуальные модули помимо ключевых элементов содержат в едином корпусе так же датчики, схемы драйверов, защит и диагностики.
