Исходные данные и значения номиналов элементов входящих в схему.

Исходные данные:

U₁=25В – входное напряжение ЭДС постоянного тока;

R_н=( R₆+ R₇)=(2 12)Ом – сопротивление нагрузки;

=20 кГц – рабочая частота;

- коэффициент заполнения импульса.

Рабочая частота и коэффициент заполнения импульса задается с помощью функционального генератора XFG1 форма импульсов прямоугольна

Максимальные значения напряжения и тока нагрузки

Максимальные значения напряжения на диоде D1и транзисторе Q1

Значение индуктивности из условия непрерывности тока через катушку , L₁=500мкГн.

Значение емкости s w:space="720"/></w:sectPr></w:body></w:wordDocument>"> ,

С₁=2мкФ.

Максимальное значение токов через диод и транзистор

По значениям , , выбраны диод с барьером Шоттки D1 10BQ040 и транзистор IGBT – IRG4BC20U/

Сопротивление датчиков тока R₃, R₄, R₅ выбираются из условия R₂=R₃=R₄=(0,05 R_нmin

Резистор R1 выбирается из условия обеспечения максимального зарядного тока входной емкости C₁₁ IGBT транзистора. Максимальный зарядный ток затвора I_сз=1 А, напряжение затвор-эмиттер U_зэ=20В.

Диод VD2 позволяет сократить время разряда входной емкости.

Исследуемая схема изображена на рисунке 5.3.

ИРН понижающего типа

Рисунок 5.3

Рисунок 5.4

1- форма тока через дроссель

2- форма напряжения на диоде D1

3- форма тока через транзистор

4- форма тока через диод