Технические характеристики

Табл. 1.

	TC112-10	TC132-40	TC152-160
I ос. д. (действующее значение тока в открытом состоянии, ток синусоидальный, температура корпуса 85 °С), А
Uзс (постоянное напряжение в закрытом состоянии, во всём допустимом диапазоне температур, синусоидальное напряжение), В, для классов приборов:



Iос, уд. (ударный ток в открытом состоянии, ток синусоидальный, одиночный импульс t=20 мс, температура перехода максимально допустимая), А
(dIос/dt)кр (критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, одиночный импульс t=20 мс, температура перехода максимально допустимая), А/мкс
Tп(max) (температура перехода максимально допустимая), °С	+110	+125	+125
Tп(min) (температура перехода минимально допустимая), °С	-60	-60	-40
Uос, и (импульсное напряжение в открытом состоянии, ток синусоидальный, одиночный импульс t=20 мс, температура перехода 25 °С), В, не более	1,65	1,85	1,65
Uос, и (пороговое напряжение в открытом состоянии, температура перехода максимальная), В, не более
Uу, от (отпирающее постоянное напряжение управления, ток управления постоянный, Uзс=12 В), В, не более:
	Tп=25 °С	3,5	4,0	3,0
	Tп=Tп(min)	6,0	7,8	6,0
Uу, нот (неотпирающее постоянное напряжение управления, ток управления постоянный, Uзс=0,67 Uзс, п), В, не менее	0,2	0,25	0,25
Iу, отп (отпирающий постоянный ток управления, Uзс=12 В), мА, не более:
	Tп=25 °С
	Tп=Tп(min)
Iзс, п (повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, температура перехода максимально допустимая), мА, не более	1,5	5,0	15,0
Iуд (ток удержания, цепь управления разомкнута, Tп=25 °С, Uзс=12В), мА, не более
tвкл (время включения, Tп=25 °С, Uзс=100 В, Iос=Iос, д , форма импульса управления прямоугольная, длительность импульса 50 мкс), мкс, не более	9,0
tзд (время задержки, условия те же, что и для tвкл), мкс, не более	3,0	4,0	4,0
(dUзс/dt)ком (критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии, ток синусоидальный, t=10 мс, Tп=Tп(max), Uзс=0,67 Uзс, п), В/мкс, для классов:
		4,0	4,0	4,0
		-	25,0	25,0
		-	-
RT(п-к) (тепловое сопротивление переход-корпус), °С/Вт, не более	1,55	0,52	0,2

Литература.

· Зи С. "Физика полупроводниковых приборов". - М.: Мир, 1984.

· Ю. А. Евсеев, С. С. Крылов. "Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре", 1990.

· Замятин В. "Тиристоры. В помощь радиолюбителю: сборник." Вып. 110.

· "Компоненты и технологии", 3 2004.

Источник:
SciTecLibrary.ru 27 мая 2008