Полупроводниковых приборов

Такое соединение при­меняется в мощных высоковольтных полупроводниковых преобразо­вательных аппаратах. Возможны соединения приборов двумя различ­ными способами: параллельное соединение а самостоятельных вет­вей, каждая из которых содержит s последовательных приборов (рис. 8.4, а) и последовательное соединение s самостоятельных рядов, каж­дый из которых состоит из а параллельных приборов (рис. 8.4, 6).

а б

Рис 8.4. Схемы последователь­но-параллельного соединения

по­лупроводниковых диодов

Первый способ основан на классической схеме построения последовательной цепи с устрой­ствами принудительного деления напряжения для каждой из па­раллельных ветвей. Ветви могут быть включены параллельно без дополнительных устройств деле­ния тока, если при s > 2 разброс по результирующему прямому напряжению всех ветвей в допус­тимых пределах. Такой подбор приборов не представляет слож­ности. Этот способ отличается многоэлементностью устройств деления напряжения.

Второй способ основан на классической схеме соединения прибо­ров с устройствами деления тока (индуктивные делители ИД) для каждого из последовательных рядов. Ряды между собой соединяются последовательно с использованием общих на каждый ряд устройств принудительного деления напряжения. В этом способе устройства деления тока громоздки.

В реальных схемах преобразователей предпочтительна схема груп­пового соединения полупроводниковых приборов (рис. 8.5). В этой схеме ветви преобразовательных диодов объединены между собой низкоомными резисторами связи R сопротивлением 0,5-0,8 Ом. При таком соединении допустимы применение общих для каждого ряда устройств деления напряжения и отказ от устройств деления тока благодаря выравниванию прямого напряжения при числе рядов более двух. Групповое соединение в данной схеме конструктивно не сложно и обеспечивает достаточно полное использование приборов по току и по напряжению.

Рис 8.5. Схема группового соединения по­лупроводниковых диодов

Охлаждение силовых полупроводниковых приборов