САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 1084; Нарушение авторских прав

ФАКУЛЬТЕТ ТЕХНИЧЕСКОЙ КИБЕРНЕТИКИ

КАФЕДРА СИСТЕМ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ

ЛАБОРАТОРИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ

Студенты Шипарев С.В.

Политов В.А.

Группа № 3045/1

Дата выполнения “ 18 ” февраля 2007 г.

Работа принята ________________________

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1

Исследование полупроводниковых двухполюсников

СХЕМЫ СОЕДИНЕНИЙ

Опыт 1 Опыт 2

Опыты 3, 4

1. Исследование ВАХ полупроводникового диода Д226 и диода Шоттки AN5817.

ВАХ, построенные на основе опытных данных

Д226 AN5817

Параметры двухполюсников, полученные из опытных данных

Диод	U_пр, В
Д226	0,2
AN5817	0,1

2. Исследование ВАХ полупроводниковых стабилитронов КС156А и В2X5V1.

ВАХ, построенные на основе опытных данных

КС156А

В2X5V1

Параметры двухполюсников, полученные из опытных данных

Стабилитрон	U_пр, В
КС156А	0,8
В2X5V1	0,3

Найдем величину динамического сопротивления для КС156А.

r_д=ΔU/ΔI.

Примем U₁=-5,1 В, U₂=-5,5 В. Тогда ΔU=0,1 В.

U₁ и U₂ соответствуют токи I₁=-2 мА и I₂=-3 мА, ΔI=1 мА.

Отсюда r_д=100 Ом.

3. Анализ полученных результатов и выводы:

В результате проведения данной лабораторной работы мы получили вольтамперные характеристики полупроводникового диода Д226, диода Шоттки AN5817, полупроводниковых стабилитронов КС156А и В2X5V1.

На их основе мы вычислили прямое напряжение полупроводниковых двухполюсников:

Д226 – 0,2 В,

AN5817 – 0,1 В,

КС156А – 0,8 В,

В2X5V1 – 0,3 В

и динамическое сопротивление стабилитрона КС156А – 100 Ом.

Перечень применявшихся приборов:

N^o п/п	НАИМЕНОВАНИЕ	Пределы измерения	Система	Заводской номер	Примечания
	Осциллограф			С1-83
	Блок питания	6,3 В		БИСЭР 313

Подписи выполнивших работу ______________________

______________________

<== предыдущая лекция	\|	следующая лекция ==>
Транзисторы IGBT.	\|	Назначение и классификация