В середине 90-х годов фирмами "ABB" и "Mitsubishi" был разработан новый вид тиристоров Gate Commutated Thyristor (GCT). Собственно, GCT является дальнейшим усовершенствованием GTO, или его модернизацией. Однако принципиально новая конструкция управляющего электрода, а также заметно отличающиеся процессы, происходящие при выключении прибора, делают целесообразным его рассмотрение.
GCT разрабатывался как прибор, лишенный недостатков, характерных для GTO, поэтому сначала необходимо остановиться на проблемах, возникающих при работе GTO.
Основной недостаток GTO заключается в больших потерях энергии в защитных цепях прибора при его коммутации. Повышение частоты увеличивает потери, поэтому на практике тиристоры GTO коммутируются с частотой не более 250 — 300 Гц. Основные потери возникают в резисторе RB (см. рис. 4) при включении тиристора Т и, следовательно, разряде конденсатора СВ.
Конденсатор СВ предназначен для ограничения скорости нарастания прямого напряжения du/dt при выключении прибора. Сделав тиристор не чувствительным к эффекту du/dt, создали возможность отказаться от снабберной цепи, что и было реализовано в конструкции GCT.
Основной особенностью тиристоров GCT, по сравнению с приборами GTO, является быстрое выключение, которое достигается как изменением принципа управления, так и совершенствованием конструкции прибора. Быстрое выключение реализуется превращением тиристорной структуры в транзисторную при запирании прибора, что делает прибор не чувствительным к эффекту du/dt.
GCT в фазах включения, проводящего и блокирующего состояния управляется так же, как и GTO. При выключении управление GCT имеет две особенности:
ток управления Iq равен или превосходит анодный ток Iа (для тиристоров GTO Ig меньше в 3 — 5 раз);
управляющий электрод обладает низкой индуктивностью, что позволяет достичь скорости нарастания тока управления dig/dt, равной 3000 А/мкс и более (для тиристоров GTO значение dig/dt составляет 30 — 40 А/мкс).
На рис. 5 показано распределение токов в структуре тиристора GCT при включении (а) и выключении (б) прибора. Как указывалось, процесс включения подобен включению тиристоров GTO. Процесс выключения отличен. После подачи отрицательного импульса управления (I-g), равного по амплитуде величине анодного тока (Iа), весь прямой ток, проходящий через прибор, отклоняется в систему управления и достигает катода, минуя переход J3 (между областями p и n+). Переход J3 смещается в обратном направлении, и катодный транзистор npn (см. рис. 1, в) закрывается. Дальнейшее выключение GCT аналогично выключению любого биполярного транзистора, что не требует внешнего ограничения скорости нарастания прямого напряжения dU/dt и, следовательно, допускает отсутствие снабберной цепочки.
Рис. 7. Распределение токов в структуре тиристора GCT при включении (а) и выключении (б)
Изменение конструкции GCT связано с тем, что динамические процессы, возникающие в приборе при выключении, протекают на один — два порядка быстрее, чем в GTO. Так, если минимальное время toff (выключения и блокирующего состояния) для GTO составляет 100 мкс, для GCT эта величина не превышает 10 мкс. Скорость нарастания тока управления при выключении GCT составляет 3000 А/мкс, у GTO — не превышает 40 А/мкс.
Чтобы обеспечить высокую динамику коммутационных процессов, изменили конструкцию вывода управляющего электрода и соединение прибора с формирователем импульсов системы управления. Вывод выполнен кольцевым, опоясывающим прибор по окружности (рис. 6). Кольцо проходит сквозь керамический корпус тиристора и контактирует: внутри с ячейками управляющего электрода; снаружи — с пластиной, соединяющей управляющий электрод с формирователем импульсов.
Рис. 8. Схематичный разрез тиристора GCT
Сейчас тиристоры GTO производят несколько крупных фирм Японии и Европы: "Toshiba", "Hitachi", "Mitsubishi", "ABB", "Eupec". Параметры приборов по напряжению UDRM: 2500 В, 4500 В; 6000 В; по току ITGQM: 1000 А; 2000 А; 2500 А; 3000 А; 4000 А; 6000 А.
Тиристоры GCT выпускают фирмы "Mitsubishi" и "ABB". Первые серийные приборы рассчитаны на напряжение UDRM 4500 В и ток ITGQM 4000 А.
В нашей стране планируется организация производства подобных тиристоров GTO и GCT на ОАО "Электровыпрямитель" (г. Саранск).
