В открытом состоянии (α - велики) все три перехода смещены в прямом направлении. Это происходит вследствие накопления объемных зарядов в базах n2, p2 тиристора.
Действительно, при больших значениях коэффициента передачи α2 электроны, инжектированные из n2-эмиттера в р2-базу, диффундируют к р-n переходу коллектора П3, проходят его и попадают в n1-базу. Дальнейшему прохождению электронов по тиристорной структуре препятствует потенциальный барьер эмиттерного перехода П1. Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме n1-базы, образует отрицательный избыточный заряд.
Инжектированные дырки из эмиттера р1 в базу n1 диффундируют к р-n переходу коллектора П3, проходят через него и попадают в базу р2. Дальнейшему их продвижению препятствует потенциальный барьер эмиттерного перехода П2. Следовательно, в базе р2 происходит накопление избыточного положительного заряда.
В результате накопления избыточного положительного заряда в базе р2 и отрицательного заряда в базе n1 переход П3 смещается в прямом направлении, происходит резкое увеличение тока и одновременное уменьшение падения напряжения на тиристоре.
На рисунке 7.7 приведена зонная диаграмма тиристора с накопленным объемным зарядом в обеих базах n1 и р2.
Величина падения напряжения в прямом участке ВАХ составляет прямое напряжение на трех прямо смещенных p-n переходах и имеет величину порядка 1-2 вольт.
Зонная диаграмма тиристора в открытом состоянии имеет вид, приведенный на рисунке 7.7, когда на всех p-n переходах прямое смещение, на П1 и П2 за счет внешнего напряжения, и на П3 за счет объемных зарядов в базах Б1 и Б2.
Рис. 7.7. Зонная диаграмма и токи тиристора в открытом состоянии (везде прямое смещение)
Таким образом, тиристор имеет два устойчивых состояния: малый ток, большое напряжение, высокое сопротивление и большой ток, малое напряжение, малое сопротивление. Переход тиристора из "закрытого" в "открытое" состояние связан с накоплением объемного заряда в базах Б1 и Б2 из-за роста значения коэффициента передачи эмиттерного тока α и коэффициента умножения М.
То есть рост α, М с ростом тока J и напряжения VG в тиристоре является причиной перехода тиристора из состояния "закрытого" в состояние "открытого".
В открытом состоянии тиристор находится до тех пор, пока за счет проходящего тока поддерживаются избыточные заряды в базах, необходимые для понижения высоты потенциального барьера коллекторного перехода до величины, соответствующей прямому его включению. Если же ток уменьшить до значения Iу, то в результате рекомбинации избыточные заряды в базах уменьшатся, р-n переход коллектора окажется включенным в обратном направлении, произойдет перераспределение падений напряжений на р-n переходах, уменьшатся коэффициенты передачи α и тиристор перейдет в закрытое состояние.
Таким образом, тиристор в области прямых смещений (прямое включение) является бистабильным элементом, способным переключаться из закрытого состояния с высоким сопротивлением и малым током в открытое состояние с низким сопротивлением и большим током, и наоборот.
7.5. Зависимость коэффициента передачи α от тока эмиттера
Как уже отмечалось ранее, зависимость коэффициента передачи эмиттерного тока α от напряжения, приложенного к тиристору, является причиной переключения тиристора. Рассмотрим, какие физические механизмы могут обеспечить такую зависимость. В области малых токов основная причина зависимости α от тока I связана с рекомбинацией в эмиттерном переходе. При наличии рекомбинационных центров в области пространственного заряда эмиттерного перехода прямой ток такого перехода в области малых прямых смещений - рекомбинационный Jрек. Зависимость этого тока от напряжения экспоненциальная, но показатель экспоненты в два раза меньше, чем для диффузионного тока JpD. Напомним, что эти процессы подробно рассматривались в разделе 4.3.2.
По мере роста прямого напряжения на p-n переходе диффузионная компонента тока JpD начинает превалировать над рекомбинационной. В терминах эффективности эмиттера γ это эквивалентно возрастанию эффективности эмиттера, а следовательно, и увеличению коэффициента передачи α = γ·κ. На рисунке 7.6 показана зонная диаграмма эмиттерного перехода, которая иллюстрирует конкуренцию двух токов - рекомбинационного и диффузионного в токе эмиттера, а на рисунке 7.8 - типичная зависимость коэффициента передачи α от тока эмиттера Iэ при наличии рекомбинационных центров в ОПЗ p-n перехода.
Рис. 7.8. Типичная зависимость коэффициента передачи α от тока эмиттера Iэ при наличии сильной рекомбинации в ОПЗ p-n переходов
7.6. Зависимость коэффициента М от напряжения VG. Умножение в коллекторном переходе
Другой физический механизм, приводящий к накоплению объемных зарядов в базах тиристора, связан с лавинным умножением в коллекторном переходе. При больших значениях обратного напряжения на p-n переходе величина электрического поля Е в области пространственного заряда может приблизиться к значению, соответствующему напряжению лавинного пробоя. В этом случае на длине свободного пробега λ электрон или дырка набирают энергию qλE, большую, чем ширина запрещенной зоны полупроводника qλE > Еg, и вызывают генерацию новой электронно-дырочной пары. Это явление аналогично лавинному пробою в стабилитронах.
Если М - коэффициент ударной ионизации, определяемый как количество носителей, рожденных при лавинном умножении одной частицей, то М описывается эмпирической формулой:
(7.6)
где UМ - напряжение лавинного пробоя, а значения коэффициента n для Ge, Si равно 3.
Таким образом, умножение в коллекторе может служить причиной накопления объемных зарядов в базах тиристора. С формальной точки зрения, умножение в коллекторе эквивалентно росту коэффициента передачи и величине коллекторного тока.
Таким образом, возвращаясь к вольт-амперной характеристике тиристора, приведенной на рисунке 4.2, можно отметить следующие особенности различных участков ВАХ в области прямых смещений. В состоянии "закрыто", по мере роста напряжения на тиристоре 1-2, в последнем растут коэффициенты передачи эмиттерного тока α или коэффициент умножения M в коллекторном переходе. В точке переключения 2 выполняется условие M (α1 + α2) = 1, и начинается процесс накопления объемных зарядов в базах тиристора. Участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением 2-3, не наблюдаемый на статических ВАХ, как раз связан с формированием этого объемного заряда в базах тиристора. Время накопления заряда и есть время переключения тиристора из состояния "закрыто" в состояние "открыто". Участок 3-4 характеризует открытое состояние тиристора. На этом участке все три p-n перехода смещены в прямом направлении и сопротивление тиристора мало и составляет десятки Ом.
(7.6)