Ненасыщенный транзисторный ключ.

Ненасыщенные транзисторные ключи на биполярных транзисторах имеют повышенное быстродействие и уменьшенное время рассасывания. Основное назначение таких ключей состоит в том, чтобы создать на выходе напряжение, близкое к нулю, или напряжение, близкое к напряжению источника питания. Такой режим работы ключа характерен для схем цифровой и силовой электроники.

Идеализированной схеме ненасыщенного ключа соответствует схема, показанная на рис. 8.5,а. Напряжение смещения должно находиться в пределах 0,4…0,6 В. При ненасыщенном транзисторе диод VD находится в закрытом состоянии и весь ток источника входного сигнала поступает в базу транзистора, обеспечивая его быстрое отпирание. На стыке активного режима и режима насыщения напряжение , и диод открывается. С этого момента времени ток источника входного сигнала частично ответвляется в цепь диода, ток базы уменьшается, что исключает насыщение транзистора. В таких схемах применяются высокочастотные диоды, превосходящие транзистор по быстродействию

Рис. 8.5

Еще более эффективным является применение в схеме ключа диода Шотки (рис. 8.5,б). Такие ключи отличаются большим быстродействием и малым падением напряжения при прямом включении (время восстановления менее 0,1 нс, напряжение отпирания около 0,25 В). При включении в схему ключа диода Шоттки источник напряжения смещения не требуется. Биполярный транзистор с диодом Шоттки называют транзистором Шотки. Его условное графическое обозначение показано на рис. 8.5,в.

К недостаткам ненасыщенных ключей следует отнести:

• повышенное напряжение на открытом ключе;

• пониженную помехоустойчивость;

• пониженную температурную стабильность.