русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Функция Ферми – Дирака.


Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 1340; Нарушение авторских прав


В собственном полупроводнике при температуре 0 К все электроны

находятся в валентной зоне. При повышении температуры часть электронов извалентной зоны переходит в зону проводимости. Определить вероятность

нахождения электрона (или дырки) на том или ином энергетическом уровне

при заданной температуре можно с помощью распределения Ферми –Дирака:

(1.1)

где W - энергия данного уровня, Дж;

k - постоянная Больцмана;

Т - абсолютная температура;

WF- энергия, соответствующая энергетическому уровню, вероятность

заполнения которого при T≠ 0 К равна 1/2, и называемой уровнем Ферми.

При температуре 0 К F (W) n изменяется скачкообразно. Для всех

энергетических уровней, лежащих ниже уровня Ферми (W<WF), функция

F (W)= 1, т.е. вероятность заполнения электронами валентной зоны (II), равна 1 (или 100 %); для всех уровней, лежащих выше уровня Ферми (W<WF), функция F (W)= 0, т.е. вероятность заполнения электронами зоны проводимости (I) равна нулю (электроны в зоне проводимости отсутствуют).

Так как на энергетических уровнях в запрещенной зоне электроны

располагаться не могут, распределение Ферми-Дирака там несправедливо. При Т≠ 0 К кривая вероятности имеет плавный вид, симметрична относительно уровня Ферми. Уровень Ферми в собственном полупроводнике при Т=0 К проходит почти посередине запрещенной зоны. Распределение Ферми-Дирака справедливо и для примесных полупроводников. Уровень Ферми в полупроводниках n-типа от середины

смещается в сторону дна зоны проводимости и находится тем ближе к дну зоны проводимости, чем выше концентрация донорной примеси. В полупроводнике р-типа уровень Ферми смещается от середины запрещенной зоны в сторону валентной зоны и находится тем ближе к валентной зоне, чем выше концентрация акцепторной примеси. На положение уровня Ферми влияет также температура полупроводника: в полупроводнике n-типа чем ниже температура, тем выше лежит уровень Ферми. В полупроводнике р-типа чем ниже температура, тем ниже лежит уровень Ферми (ближе к потолку валентной зоны).





<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Параметрический стабилизатор напряжения. | Туннельный диод.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.195 сек.