Применение полупроводниковых материалов

Осн. областью применения П. м. является микроэлектроника. П. м. составляют основу современных больших и сверхбольшихинтегральных схем (ИС), к-рые делаются в осн. на Si. Повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности связаны с созданием ИС на основе GaAs, InP и их твёрдых растворов с др. соединениями

П. м. используют для изготовления "силовых" электронных приборов (вентилей, тиристоров, мощных транзисторов ).Здесь также осн. П. м. является Si, а дальнейшее продвижение в область более высоких рабочих темп-р связано с применением GaAs, SiC и др. широкозонных П. м. Расширяется применение П. м. в солнечной энергетике. Осн. П. м. для изготовления солнечных батарей являются Si, GaAs, гетерострукту-ры ) -

С применением некристаллич. гидрированных П. м. связаны перспективы снижения стоимости солнечных батарей.

П. м. используются в произ-ве полупроводниковых лазеров и светоизлучающих диодов. Лазеры изготовляют на основе ряда прямозонных соединений

и др. Важнейшими П. м. для изготовления инжекционных лазеров являются гетероструктуры:

(см.Гетеролазер).

Для изготовления светодиодов используют и др. 11. м. составляют основу фотоприёмных устройств широкого диапазона (Ge, и др.). Полупроводниковые лазеры и фотоприёмники- составляющие элементной базы воло-конно-оптич. линий связи (см. Волоконная оптика ).Широко используются П. м. для создания разл. приборов СВЧ- и радиодиапазонов (биполярные и полевые транзисторы, транзисторы на горячих электронах, лавинопролётные диоды), детекторов частиц (чистые Ge, Si. GaAs, CdTe и др.; см. Полупроводниковый детектор ).На основе П. м. изготовляются термохолодильники, тензодатчики, высокочувствит. термометры, датчики магн. полей, модуляторы и волноводы ИК-излу-чепия, т. н. оптические окна и др.