Некристаллические полупроводниковые материалы

Табл. 2. - Параметры зонной структуры и свойства носителей заряда для важнейших полупроводниковых материалов

Полупро-воднико-пый	Тип зонной струк-	эВ (300 К)			m в долях (300 К)

материал	туры				электроны	дырки	электроны	дырки
Si	непрямозонный	1,14	- 4	1,5	0,33	0,55	1500(300К)	480(300К)
Ge	- " -	0,67	-4		0,22	0,39	4500- "-	1900- "-
A^IIIB^V
InSb	прямозонный	0, 18	-2,8	14,8(000)	0,013	0,4	80000- "-	750- "-
							1,2· 10⁶77К)	9,1· 10³(77К)
InАs InP	- " -	0,356 1,35	- 2,2 -2,9	8,5(000) 4,6	0,025 0,073	0,4 0,4	35000(300К) 5000- "-	240(300К) 200- "-
GaSb	- " -	0,79	-3,8		0,042	0,5	4000- "-	1400- "-
GaAs	- " -	1,43	-5	12,5	0,072	0,68	8500- " -	450- "-
GaP	непрямозонный	2,26	-5,5	1,7	0,35	0,5	300 - " -	100- "-
A^IIB^VI
ZnS	прямозонный	3,68	-5,3	5,7	0,23	0,6		-
ZnSe	- " -	2,8	- 7,2(30- 400К)		0,16	0,6	260 (300К)	15- "-
ZnTe	- " -	2,25	-		0, 17	0,6	340- " -	1 10- "-
CdS	- " -	2,42; 2,53	-4,4(77- 300 К)	3,3	0,2	0,5	350 - " -	50- "-
CdSe	- " -	1,85	- 4,6(90- 400К)	-	0, 13	0,6	550- " -	50- " -
CdTe	- " -	1,55	- 4, 1(77- 394К)	3,0	0,11	0,35	4*10³(77К)	80- " -
							1200 (300К)
HgTe	- " -	0,15	-16(4К)		0,017	0,16	2,3·10⁴- "-	100- "-
					0,03(4,2К)	0,35	7·10⁴(77К)
						(1.2К)

4. Тройные соединения типа A^IIB^IVC^V. Кристаллизуются в осн. в решётке халькопирита. Обнаруживают упорядочение в магн. и электрич. полях. Образуют между собой твёрдые растворы. Типичные представители: CdSnAs₂, CdGeAs₂, ZnSnAs₂.

5. Карбид кремния SiC - единств, соединение, образуемое элементами IV группы между собой; существует в неск. структурных модификациях: b-SiC (структура сфалерита), a-SiC (гексагональная структура), имеющая ок. 15 разновидностей.

Некристаллические полупроводниковые материалы

Типичными представителями являются стеклообразные П. м.- халькогенидные и оксидные. К первым относятся сплавы TI, P, As, Sb, Bi с S, Se, Те, характеризующиеся широким диапазоном значений s, низкими темп-рами размягчения, устойчивостью к кислотам и щелочам. Типичные представители: As₂Se₃ - As₂Te₃, Tl₂Se - As₂Se₃. Оксидные стеклообразные П. м. имеют состав типа V₂0₅ - Р₂О₅ - RО_x(R - металл I - IV групп); s = 10^-4-10^-5 Ом^-1·см^-1. Стеклообразные П. м. имеют электронную проводимость, обнаруживаютфотопроводимость и термояде. При медленном охлаждении обычно превращаются в кристаллич. П. м.

Важными некристаллич. П. м. являются также твёрдые растворы водорода в аморфных полупроводниках (гидрированные некристаллич. П. м.): a-Si(H), a-Si_1-xC_x(H), a-Si_1-xGe_x(H), a-Si_1-xN_x(H), a-Si_1-xSr_x(H). Водород обладает высокой растворимостью в этих П. м. и замыкает на себя значит. кол-во "болтающихся" связей, характерных для аморфных П. м. В результате резко снижается плотность состояний носителей заряда в запрещённой зоне и появляется возможность создания p - n-переходов (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники).