Транзисторы с изолированным затвором делятся на транзисторы у которых затвор от канала отделен диэлектриком МДП – транзистор и у которых затвор от канала отделен МОП- транзистором.
Транзистор с изолированным затвором может быть либо со встроенным каналом, либо с индуциронным каналом.
Транзистор с встроенным каналом работает следующим образом, при подаче положительного напряжения на затвор, то положительный потенциал будет выталкивать дырки из канала уменьшая его проводимость, а следовательно и величину тока стока. Такой режим называется режимом «обеднения».
Если подать на затвор отрицательный потенциал, то дырки будут втягиваться в канал увеличивая его проводимость, при этом ток стока возрастает. Такой режим называют режимом «обогащения».
У транзистора с индуцированным каналом встроенный канал отсутствует, ток между истоком и стоком без канала протекать не может, для создания этого канала и управляющим током проходит через этот канал, на затвор необходимо падать отрицательный потенциал, тогда поверхностный слой полупроводника обогатится дырками и создает индуцированный эл. полем канал проводимости, по которому будет протекать ток, если на затвор будет подан положительный потенциал, то поверхностный слой полупроводника обогатится электронами, не образуя токопроводящего канала.
