Это полупроводниковый прибор в котором используется явление туннельного пробоя в прямом направлении.
Для изготовления туннельного диода применяются полупроводники
С содержанием примесных атомов в 10 тыс. раз выше, чем в полупроводниковых обычных диодов.
Полупроводники с такой концентрацией примеси превращается в полуметаллы и называются вырожденными. Туннельный эффект заключается в том, что ток через p-n-переход начинает проходить при напряжении значительно меньшим необходимого для совершения работы выхода электронов.
При приложении напряжении к диоду в прямом направлении ток растет, а затем достигнув максимального значения при U1 начинает резко убывать.
Объясняется резкое снижение тока, тем что с роста U уменьшается число электронов способных совершить туннельный переход, при значении U2 таких электронов не остается и туннельный ток прекращается, при дальнейшем увеличении напряжения прохождение прямого тока, такое же как у обычного диода.
Туннельные диоды используются в качестве элемента генератора пилообразного напряжения
. 
