русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Примесная проводимость полупроводников.


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 702; Нарушение авторских прав


Виды электронной эмиссии.

1) Термоэлектронная эмиссия – возникает в результате разогрева эмиттера (катода)

2) Вторичная эмиссия – испускание вторичных электронов с поверхности эмиттера, при облучении его потоком первичных электронов.

3) Эмиссия под действием тяжелых частиц.

4) Электростатическая эмиссия (автоэлектронная) – возникает под действием внешнего ускорения эл.поля.

5) Фотоэлектронная эмиссия возникает при облучении эмиттера световым потоком и не связанна с его разогревом.

Собственная проводимость полупроводников.

Характеризуется суммой электронного тока ( от движения электронов в зоне проводимости и дырочного тока; от движения дырок в валентной зоне). In/n = Iэ + Iд

Примесная проводимость полупроводников.

Проводимость полупроводника можно улучшить если в хим. Чистый полупроводник добавить примись.

При добавлении в четырехвалентный полупроводник примеси пятивалентного вещества искусственно создается избыток электронов по отношению к дыркам, такой полупроводник будет называться полупроводником «n» типа.

При внесении примеси трехвалентного вещества в четырехвалентный полупроводник создается искусственное преобладание дырок над электронами. Такой полупроводник будет называться полупроводником «p» типа.

Те заряженные частицы количество которых больше в полупроводнике называются основными носителями заряда, те которых меньше называются неосновными.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Ранг матрицы | Пропускное состояние p-n-перехода.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.057 сек.